18年12月【西南大学】[机考][1075]《电力电子技术》（参考资料）

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【西南大学】[机考][1075]《电力电子技术》
3 p  u0 f* Q( Q+ |* g7 O; A$ J( H试卷总分:100    得分:100
第1题,单相全控桥式有源逆变电路，控制角为a，则输出电压的平均值为Ud=0.9U2cosa。
对
错
正确资料:
5 d6 n* W8 ^+ z% ?5 A

/ \( P$ H$ T& w+ R; g第2题,定宽调频是斩波器的一种瞬时值控制。
对
+ `, B6 F4 g  U# g) I3 U错
正确资料:

, P% E2 @' w& ?/ }
7 u4 F1 W: D$ |  d* _% ~7 u第3题,电流型三相桥式逆变电路，120°导通型，则在任一时刻开关管导通的个数是不同相的上、下桥臂各二只。
对
错
7 p. W( w$ W9 z正确资料:
7 S: j0 U4 v8 s5 p# l4 M

8 p8 ]/ |! ^2 d& g第4题,单相半控桥式整流电路带纯电阻性负载时，晶闸管承受正向电压的最大值为
% C9 f% e. l4 B对
) ]& y. K9 m/ y- G: i6 I! @! O错
正确资料:

# B+ J7 i6 }. T/ a  v: r
第5题,取断态重复峰值电压和反向重复峰值电压中较小的一个，并规化为标准电压等级后，定为该晶闸管的阈值电压.
& v- b: B8 e; }' p3 d* e/ n对
错
3 }$ h+ X! c8 @5 X8 H正确资料:

0 Z' {( o' i. j# j
6 m% k+ e# E/ ?8 x; Y6 t7 g+ G第6题,具有自关断能力的电力半导体器件称为不控型器件.
/ o' I! {7 b- P6 s对
8 k' E, Z; l) b, E错
' g2 D0 x0 {! `2 `8 g$ I3 C' J) N4 q正确资料:


% C& m# v5 T! e+ p5 @, N( l第7题,单相桥式半控整流电路中，电阻性负载，流过每个晶闸管的有效电流.
对
5 `  D6 t; D9 {5 [9 f; [8 t错
7 z- D4 B) m2 ^, l& R! i正确资料:

' o7 ~; j; A& k; C5 O% z
第8题,为了防止逆变失败，最小逆变角限制为30度～35度。
对
! z" E+ s; p$ w( z! C5 J错
; R# w& X+ T/ H: h) N! B5 i正确资料:
) h8 l, V6 x; ^; z9 i3 v
* R. T7 s7 f5 _
& h6 R/ G! J8 x$ }# _$ S& l' d/ k( Y第9题,在无源逆变与直接斩波电路中，都必须设置换流辅助电路，强迫导通的晶闸管可靠关断。
# Y: I' p, ?9 ]; p$ \对
错
6 p) P- {# j' R& _- Z* a正确资料:


- `5 M. Q; ~" H: Z+ i, ~8 k第10题,三相桥式全控整流电路，电阻性负载时的移相范围为0度～150度。
( A# h/ x0 J0 Y. Y( S. d对
错
- r9 l0 }$ J" w/ [% P* t8 o) ~正确资料:
+ f3 Y) d$ v/ O/ W- Y

第11题,在单相全控桥式变流器控制直流电动机卷扬机拖动系统中，若使变流器工作于有源逆变状态时，需使控制角aπ/2，同时|Ed|        |Ud|。
正确资料:
# P" Z5 H, I& }% R( ?' J2 j
2 L  Q* J6 m3 m: ?
第12题,
正确资料:


$ }! }2 w( F$ R) D1 t% N3 y' }第13题,逆变电路的负载如果接到电源，则称为（ ）逆变，如果接到负载，则称为（ ）逆变。
' _( V! \% k4 c正确资料:
& q- d2 t; |2 v# T; y" y
1 R- ~. C8 }  d
第14题,
正确资料:


: o! j* T* o6 ]) d; `5 ?第15题,如下图，如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。（1）    (1)  t0~t1时间段内，电流的通路为(             )；(2)  t1~t2时间段内，电流的通路为(             )；(3) t2~t3时间段内，电流的通路为(             )；(4)  t3~t4时间段内，电流的通路为 (            )；(5)  t4~t5时间段内，电流的通路为(             )./FONT
正确资料:
& p, w8 f" o: t

& A, @  q% f% n5 {- n第16题,
正确资料:

+ o( T6 P7 v$ D( }# f2 @
第17题,多个晶闸管相并联时必须考虑(             )的问题，解决的方法是(             ).
, {7 ~' K& I' t# }7 P# `正确资料:


1 ~$ I, q7 Z& O" O; `, S第18题,
: I3 r+ @0 E9 S# _: i正确资料:

- I2 ]: H+ M' s, j4 C5 b
第19题,单相交流调压电路阻感负载，设负载阻抗角为φ，则触发角α的移相范围应为（ ）。
/ G4 z7 w: ^4 W( _4 c( h; Y正确资料:


第20题,
# M+ e0 E$ ?5 x6 j正确资料:


第21题,晶闸管是硅晶体闸流管的简称，常用的外形有（ ）与（ ）。
$ C  l; |& k. |* K/ M$ Z正确资料:


5 u( ^7 P" w5 m1 j  }2 U; m) o) T0 u第22题,
正确资料:
! W0 |* R% _. Q" m( N* U8 V

) z% u- q* N" _9 k6 v6 N: |第23题,电子技术包括（ ）和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。
( x* w8 [. X7 U6 f+ S正确资料:
$ ?4 Y3 k& Y/ }
# {! s! z' s# q7 s! u) Q5 M7 N
# Z; A, P! d* h1 a第24题,
正确资料:


第25题,设三相电源的相电压为U2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值，即（ ），其承受的最大正向电压（ ）。
9 F: q2 P$ U# ]正确资料:

0 z% ~+ B/ d: F  l9 A
& U4 n* S  {$ z% k第26题,
' @2 H+ N  Q* g  ]9 Y) a正确资料:
. S4 |$ r9 {$ j5 t' v0 s) Y7 W3 n
+ h( f* o+ a3 M/ I
6 N! m# x1 g# I" J3 m; ]1 G第27题,晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻R是(             )措施。
正确资料:

# J9 f$ K7 Q3 b) T
第28题,
$ X5 I3 ^- X* ]. i  S正确资料:

1 Z% y0 O$ a8 W5 X: O
第29题,在三相半波可控整流电路中，电感性负载，当控制角（ ）时，输出电压波形出现负值，因而常加续流二极管。
正确资料:


  u2 a- B0 ~8 j% Y) F第30题,
正确资料:

/ \0 n% ]4 @# v: f6 K
第31题,电压源型变频器和电流源型变频器的区别是什么？
5 C# C# F4 Z% s, E& [0 X. Z正确资料:
" r4 L) w8 c& J/ H( q1 L# e; e
3 k" d+ U2 i5 u, R% ~+ D9 ~
, Z2 Y/ r! L3 `& L: s! w6 h第32题,
正确资料:


第33题,要实现有源逆变，必须满足什么条件？哪些电路类型不能进行有源逆变？
' N* t2 U. P6 o9 u  m正确资料:</strong><br/>答：1)有与通流方向一致的直流电源，电路工作在逆变状态。（6分）<br/>&nbsp;&nbsp;&nbsp; 2）不能实现有源逆变的电路有：半控桥电路，带续流二极管的电路。（4分）               
                                                                                                                        <br/>
& k; F; u8 P* |+ P2 U( P  E9 W
+ X! Z4 ^0 n0 I9 L
第34题,
正确资料:

# ]4 C2 P+ {" G
* N+ F9 }9 J: Q) V第35题,三相全控桥整流电路如图所示。已知电感性负载L =0.2H、R =1Ω、α =60°，变压器二次相电压U2=100V。1) 计算负载的平均整流电压Ud和负载电流平均值Id；2) 选择晶闸管的型号；3) 计算变压器二次电流的有效值I2。
正确资料:


2 X$ G( l( I; E4 H/ `0 u( T第36题,
* ]2 q' Z! s  W5 B6 M  `) H正确资料:
/ s- P. z! A6 e$ [/ o: k( l
# r/ ?  g2 c6 g* g. W% P

$ a: ^4 u4 i! m. a) {( A* Q! H
* I% \) H8 V& L: Q+ a* V
3 K- s6 v% H' D
* n! b' ]6 m6 k3 X0 |1 Z3 y0 p
2 ~2 f% v) c4 m* l
/ o2 |. z, x9 n2 W5 t4 Q