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一、单选题(共 6 道试题,共 30 分。)V 1. 下列属于单极型电压驱动器件的是( )。
A. GTR
B. GTO
C. MOSFET
D. IGBT
满分:5 分
2. 一般取额定电压为正常工作时晶闸管所承受峰值电压的( )倍。
A. 1-2
B. 1-3
C. 2-3
D. 2-4
满分:5 分
3. 维持晶闸管导通的条件是( )。
A. IA>IH
B. IA=IH
C. IA<IH
D. IA与IH无关
满分:5 分
4. 电力电子技术的核心是( )技术。
A. 整流
B. 逆变
C. 变流
D. 斩波
满分:5 分
5. 三相半波整流电路的共阴极接法与共阳极接法,a、b两相之间在相位上差( )度。
A. 0
B. 45
C. 90
D. 180
满分:5 分
6. 逆变是指( )。
A. 交流变直流
B. 直流变交流
C. 直流变直流
D. 交流变交流
满分:5 分
二、多选题(共 6 道试题,共 30 分。)V 1. IGBT有哪些特性?( )
A. 开关速度高
B. 耐脉冲电流冲击
C. 通态压降相对VDMOSFET较低
D. 输入阻抗高
满分:5 分
2. 单相全波与单相全控桥的区别在于( )。
A. 单相全波可控整流电路中变压器为二次绕组带中心抽头,结构较复杂。
B. 单相全波可控整流电路中只用两个晶闸管,比单相全控桥式可控整流电路少两个。
C. 单相全波可控整流电路中晶闸管承受的最大电压是单相全控桥式整流电路的两倍。
D. 单相全波可控整流电路导电回路中管压降比单相桥少一个。
满分:5 分
3. 电流驱动型器件的共同特点是( )。
A. 具有电导调制效应
B. 通态压降低
C. 导通损耗小
D. 工作频率较低
满分:5 分
4. 晶闸管导通的条件是( )。
A. 晶闸管承受正向电压
B. 晶闸管承受反向电压
C. 门极加触发电流
D. 不需要门极触发电流
满分:5 分
5. 电力电子器件的损耗包括哪些?( )
A. 通态损耗
B. 断态损耗
C. 开通损耗
D. 关断损耗
满分:5 分
6. 无功功率的危害有( )。
A. 使设备容量增加
B. 使设备损耗增加
C. 使线路损耗增加
D. 使电压剧烈波动
满分:5 分
三、判断题(共 8 道试题,共 40 分。)V 1. 利用相控方式可以控制晶闸管电路。
A. 错误
B. 正确
满分:5 分
2. 单相半波可控整流电路中,当负载为电阻负载时,变压器T只起到了变换电压的作用。
A. 错误
B. 正确
满分:5 分
3. 电力场效应管用栅极电压来控制漏极电流。
A. 错误
B. 正确
满分:5 分
4. 晶闸管受到触发后,其阳极电流的增长可以是瞬时的。
A. 错误
B. 正确
满分:5 分
5. GTR的二次击穿现象对其危害很大。
A. 错误
B. 正确
满分:5 分
6. 二极管具有单向导电特性。
A. 错误
B. 正确
满分:5 分
7. 单相桥式全控整流电路中,当负载为电感负载时,晶闸管移相范围最大值是180°。
A. 错误
B. 正确
满分:5 分
8. 电力电子器件按照器件能够被控制电路信号所控制的程度,可以分为半控型器件、全控型器件这两类。
A. 错误
B. 正确
满分:5 分
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