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7 R+ R3 j' {) D& }& V
一、单选题（共 25 道试题，共 50 分。）V 1. 在（ ）三极管的发射结正向偏置，集电结反向偏置，输出特性曲线比较平坦，近似为水平的直线。
1 h" N, K6 s. |) _2 xA. 截止区
( x* u2 G8 f# V3 |! vB. 放大区
5 z% ~* u7 {/ \0 F$ OC. 饱和区) ]3 K& s3 l. x9 k' o8 h
满分：2 分
$ S' J4 H4 y; b- ^2. UGS＝0V时，不能够工作在恒流区的场效应管有（ ）。
. a+ B" A, d) vA. 结型管
! P1 J# O4 F+ g# e0 E1 s. G; @9 y0 I( ?0 `B. 增强型MOS管
5 ^4 T8 C# H3 H% AC. 耗尽型MOS管
+ H+ t0 L5 z! |: X9 b 满分：2 分, e: j2 X: _( z3 d L3 E, v* a% K
3. 有一晶体管的极限参数：PCM=150mW，ICM=100mA，U（BR）CEO=30V。若工作电压UCE=1V，则工作电流IC不得超过（ ）mA.
" n$ x" l5 W. \A. 15
3 R* g4 c; c) p; c' p8 QB. 100
( {0 b' h1 |* IC. 30' B1 Y! n& E+ D+ u. |& N
D. 150( ^# L3 i8 _; a9 i
满分：2 分
" F9 l3 L" t2 j" l) r) D4. 集成运放制造工艺使得同类半导体管的（ ）. c+ ~/ X# w6 v- X4 `8 M
A. 指标参数准确
5 S5 G# W! ?1 s" t1 e) }/ YB. 参数不受温度影响/ n" W5 N1 Q, w; A$ k+ [
C. 参数一致性好
% ^2 K: g A5 a% L5 e" w 满分：2 分
% e, S, G8 [0 m4 K& b5. 集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以（ ）
' C" r: s. z$ x; t) w$ ?# _! IA. 减小温漂1 U' T; @& ?) y/ L: b
B. 增大放大倍数
& x! J, i. @' t/ eC. 提高输入电阻: G, m) I, H; _: h$ o O% P, ?
满分：2 分. W |% @7 |1 d4 g1 A" y
6. ( )运算电路可实现Au＜0的放大器。
( z& A4 r# f# I) Z) j4 Q9 ?% w) TA. 同相比例
' q! r, @- Y; H5 N$ l( W4 Z" ]8 |B. 反相比例
% n- P0 d" q$ LC. 微分
. O4 z; ~6 w# l% P. s FD. 同相求和
1 ]2 g4 f, d! R, f* {" v 满分：2 分. v4 w) c3 m8 Y, F$ ^$ J
7. 直流稳压电源中滤波电路的目的是（ ）$ P/ T% j5 B4 ?0 ~" ]+ I- N
A. 将交流变为直流
1 I' a2 Z8 ^8 YB. 将高频变为低频
! F* g" M+ j0 X& p/ Z$ ]8 J/ jC. 将交、直流混合量中的交流成分滤掉
4 s* P6 K: ~6 |) z J k3 x+ ` 满分：2 分0 P# f7 W1 f- T' L! D7 h
8. 欲得到电流－电压转换电路，应在放大电路中引入（ ）。
7 x+ Z5 s* ]4 eA. 电压串联负反馈
! p- X4 h4 \8 P! h9 e5 V/ vB. 电压并联负反馈
6 e* I: ?: L' K3 W. @) mC. 电流串联负反馈8 e) b* P/ \( }2 M- @* o
D. 电流并联负反馈" B7 H: K W& C
满分：2 分4 T' {% }5 m# \- A" H5 U: ~
9. 用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻Re，将使电路的（ ）& {/ ~, P% C. o' b
A. 差模放大倍数数值增大# J) N3 I3 s! x8 T8 D6 { ~
B. 抑制共模信号能力增强/ E) ?9 t% [1 C& g l& L' o
C. 差模输入电阻增大5 l/ F& F% F0 a' n0 K8 l; c# e7 w
满分：2 分
2 D% Q/ g" ^. L% v4 j% r: k10. 当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（ ）$ M4 j6 o) ^+ c8 [, G4 p
A. 前者反偏、后者也反偏/ s2 W$ j( h: k2 v9 X+ g
B. 前者正偏、后者反偏' E# x$ u0 h0 n! \, Y
C. 前者正偏、后者也正偏
) H4 C/ m; n9 e+ ?2 P 满分：2 分
7 d2 X0 d. p1 g+ Q& e11. 用直流电压表测得放大电路中的三极管的三个电极电位分别是U1=2.8V ,U2=2.1V ,U3=7V , 那么U1=2.8V的那个极是（ ）./ I: @; u' E& _7 T+ U8 D9 Z' d! d
A. 发射极
8 ^7 t; S$ c# X( q' f! zB. 基极
" d% n$ A' B; U2 B; d' ^6 qC. 集电极
, J1 o. b5 ?( z. e* Q9 F: T/ s 满分：2 分
. f! @# ^# Q' \" S12. 硅二极管完全导通后的管压降约为（ ）
8 y2 E( t; Z7 OA. 0.36 V/ y1 s$ h" N4 d
B. 0.5) X) o2 k) O! v& H
C. 0.7/ O" @; F6 y R" D3 b! ? ?( K
满分：2 分; V7 A: H9 }' s. e9 [
13. 锗二极管的死区电压约为（ ）# b" W2 f( w' @% M1 w) w; x
A. 0.3
# U1 |! j+ Z0 n8 s( c2 x5 N6 MB. 0.2
! o/ ~! {2 A0 _2 ^% ^C. 0.1- }8 U% r$ y3 X
满分：2 分
9 w4 p# W! Z/ B$ n) ]14. 功率放大电路的最大输出功率是在输入电压为正弦波时，输出基本不失真情况下，负载上可能获得的最大( )
& u) V- a; }& G k0 u; v YA. 交流功率
) u; j2 l3 ~/ J% y3 mB. 直流功率! p* t# _% T; F; k N9 Z% D
C. 平均功率
2 M6 u6 o* B" A: c' P9 W9 G$ O3 w 满分：2 分( U" J! H$ g3 g5 [/ s, x
15. 用直流电压表测得放大电路中的三极管的三个电极电位分别是U1=2.8V ,U2=2.1V ,U3=7V , 那么U2=2.1V的那个极是（ ）.
0 |" J8 T/ H/ X0 z1 Q4 xA. 发射极
" N* S) Y U U/ Y7 _ d JB. 基极
) u5 Z; T i' l; t( N4 xC. 集电极: m* Y9 ]( W3 G* ^' T3 q, I* _
满分：2 分! \: M% `, A$ R1 b& M0 ]
16. 为增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用（ ）
8 T8 P$ o9 R) \5 ~- S% {$ kA. 共射放大电路
7 A J) h9 N. o7 E! r$ Z! uB. 共集放大电路- l* L: o+ d* K
C. 共基放大电路; Q' o, N7 G7 k6 J0 _. c
满分：2 分
( r. N# B7 @0 a2 w, Z) N17. 直流负反馈是指（ ）
% h5 S; p2 N* eA. 直接耦合放大电路中所引入的负反馈, @$ r: z+ c! F
B. 只有放大直流信号时才有的负反馈
6 L* m$ |" r9 }4 ?; j, RC. 在直流通路中的负反馈
. ^0 W# S* p7 s 满分：2 分; c- F7 w, s0 h) _: |- d8 u% \
18. 实际工作中选用三极管时，要求三极管的反向饱和电流和穿透电流尽可能（ ），这两个反向电流的值越（ ），表明三极管的质量越（ ）。
: u0 X; E9 I. w' D' w8 h* X, Z: fA. 大 大 高3 x! s, X6 Y) l+ M& L
B. 小 小 低4 S k' q3 k* z0 R1 G: y
C. 大 大 低
# a" Q4 l: s4 XD. 小 小 高
4 ^# x$ @2 Z4 Z" U8 U/ @ 满分：2 分
3 |1 c) |2 ^1 A$ Z19. 欲将电压信号转换成与之成比例的电流信号，应在放大电路中引入（ ）。
: C, R2 g+ O8 M! c. g. G) jA. 电压串联负反馈
! [, C9 P% t+ f! F# w6 v! gB. 电压并联负反馈
# D" q G5 u! S; O3 B, {7 _, K- ]1 h( LC. 电流串联负反馈: g4 [% k) m* y1 D3 q L" O
D. 电流并联负反馈% t; ?# c! z2 t( ^# h
满分：2 分* a/ E3 Q. G. M8 q/ _% |! I, P) O
20. 由二极管的伏安特性可知，二极管的管压降越高，二极管的电阻（ ）
. `9 j! v- J0 n$ b+ yA. 越大
" T5 q0 U3 G( l+ R' Q+ V, [+ O& wB. 越小1 L2 q {& N; s7 A3 T: ^
C. 不变
; w% _8 g7 e7 |. s" Y3 e+ n4 c 满分：2 分1 f' n9 U/ R6 Q6 e+ J% i/ x
21. 本征半导体中的自由电子浓度( )空穴浓度 r+ i L. |9 l
A. 大于
7 f) f' Y5 M8 A, PB. 小于$ K1 H" k& }/ H0 x" b6 z& S: z7 k
C. 等于
6 D7 t/ ^9 ]0 [0 q# N7 Q' \, J 满分：2 分
0 Z8 p$ @* a1 }" V( {4 j# D& {% }' x22. 交流负反馈是指（ ）5 ^9 ]9 D* [! D% X# _0 b* K
A. 阻容耦合放大电路中所引入的负反馈
* ~0 w+ \9 }* a5 r$ u: y4 OB. 只有放大交流信号时才有的负反馈3 F, |2 r6 q5 L) K* _3 e# ~. p6 P
C. 在交流通路中的负反馈
9 I9 D1 {( L- E 满分：2 分, C! L x) O" I- Q3 `
23. 在本征半导体中加入（ ）元素可形成P型半导体。9 X/ K" r3 k* B1 s
A. 五价: L+ E0 c# k+ _1 ?
B. 四价
; e" V3 T6 d9 J- E& E9 j5 [+ U8 V0 BC. 三价
0 ]9 [' i x2 C+ |- n$ m 满分：2 分5 Q# k8 T7 `7 q2 a
24. 使用稳压管组成稳压电路时，应使外加电源的正极接管子的（ ），电源的负极接（ ），以保证稳压管工作在反向击穿区，稳压管应与负载电阻（），由于稳压管两端电压变化量很小，使输出电压比较稳定。( r" m& V" R5 j
A. N区 P区 串联
+ W) k8 U/ H: G6 VB. N区 P区 并联
3 h" ]3 a. D! s) G& ~( yC. P区 N区 串联- @( a) B4 Z8 J9 z; d
D. P区 N区 并联
( ]& j3 M6 P) s5 _% f4 d0 g 满分：2 分/ m! g- u ]3 G. O0 T, q
25. 温度升高，晶体管输出特性曲线( )
, G4 |5 N) r; ]' K9 M# z. U HA. 上移/ J* a0 u2 l, @9 l0 `2 W/ d0 w
B. 下移" a6 p% ~8 f' k
C. 不变) }$ h7 o! n8 X% r
满分：2 分
i1 X8 u1 b+ {/ N3 Q( |
, I2 m! K' w( e. c( Y) a) ~二、多选题（共 5 道试题，共 10 分。）V 1. 要求输入电阻大于10MΩ，电压放大倍数大于300，第一级应采用( )，二级应采用( )。9 D9 K8 d& X2 S- {
A. 共源电路
: Z9 U! n; \% f t; L) VB. 共集电路
. C0 P3 o; R$ o2 t" S+ x; o& IC. 共基电路
. w4 u8 |+ h( m0 s6 e6 mD. 共射电路
5 A. {1 t7 t; h9 P$ m 满分：2 分& K3 i6 {% {( y, I
2. 功率放大电路与电流放大电路的区别是（ ）! K' b" ]8 ?5 i
A. 前者比后者电流放大倍数大
+ t/ I0 m9 G% O0 r& sB. 前者比后者效率高 P% L2 U5 j+ K% }
C. 在电源电压相同的情况下，前者比后者的输出功率大
$ n: M+ f6 ~1 p# x$ A/ }+ D1 Q 满分：2 分
3 u* g* ^' s- T2 k' R3. 功率放大电路与电压放大电路的区别是( )。
% M p7 N* G* aA. 前者比后者电源电压高$ }. c+ u* \" X6 u$ ?; V* g
B. 前者比后者电压放大倍数数值大
" l3 J4 r) O1 L# e! fC. 前者比后者效率高6 I+ c3 j3 h& L6 x7 J- e$ `
D. 在电源电压相同的情况下，前者比后者的最大不失真输出电 压大
- p& b/ M) T7 Z3 I& j% t 满分：2 分5 j) O! H; z, u6 i
4. 在选择功放电路中的晶体管时，应当特别注意的参数有( )。. k4 N* m: h, g5 i
A. ICM
0 B o6 Y9 c' Z+ O: [% ^B. ICBO
( `, v0 J( i6 k4 Z1 ZC. PCM
2 o7 N# P: t. y) `" x* R( O 满分：2 分5 w b G- m# k
5. 为了避免50Hz电网电压的干扰进入放大器，应选用( )滤波电路；为了使滤波电路的输出电阻足够小，保证负载电阻变化时滤波特性不变，应选用( )滤波电路 。3 K0 S9 r8 l I" F+ t; n
A. 带阻4 E+ J8 i. v) \1 l3 V: Z* u
B. 带通, J" [. e3 q" b: Q" n8 [1 [5 }
C. 低通/ f4 y( R. E. Y$ f/ x( |1 J. \
D. 有源- ?: A9 N( B1 h/ d' u6 I4 ?
满分：2 分 ! q i r& r7 u! } N' u
6 ~; j$ W' E/ c
三、判断题（共 20 道试题，共 40 分。）V 1. 直流电源是一种能量转换电路，它将交流能量转换为直流能量。( )
$ z& o7 v$ M2 F0 r$ ]4 Z \7 lA. 错误
/ _3 o+ p+ O: o; V$ _) j# sB. 正确- O4 B6 M o/ n+ Y( G
满分：2 分/ }1 J) \* x! _# N% j% a( e* B
2. 现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为－100，将它们连成两级放大电路，其电压放大倍数应为10000。( )! M. a, `4 E4 w, g0 Y
A. 错误* o# U! F) ~' ]* P/ H7 k
B. 正确9 y/ R, @) {0 \; w0 G; j
满分：2 分% u& S2 T Q: D( e; G
3. 整流的目的是将交流变为直流（ ）; M) s% d% Y+ ]" j- U" [' c
A. 错误
}9 W+ s' _- i: l+ kB. 正确
3 P; I3 w( A3 ?6 z 满分：2 分
! Q6 r5 x# e* J/ c4 L* I# Z" h5 ^4. 互补输出级应采用共集或共漏接法。( )
5 s4 R8 H I* TA. 错误& \1 X, a7 ?7 K5 F
B. 正确$ d# E0 ?# b. l
满分：2 分
( M- Y3 o$ d5 }# m+ a1 ]& Y j5. 放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的；（ ）
& T- `' ?. Q( m1 DA. 错误. H9 b9 w; Q& y: U. t0 y
B. 正确
6 \& `6 N! d2 [3 [* g- W4 o 满分：2 分
2 e6 [# T0 R" P6 S6. 对于理想的稳压电路，△UO/△UI＝0，Ro＝0。（ ）4 Q) w( Y4 x. \
A. 错误9 C! Y5 E3 \6 A; g; y
B. 正确
3 X! K8 s+ b5 { M6 g% z0 j 满分：2 分+ d( w- `# D# Z9 h
7. 一般情况下，开关型稳压电路比线性稳压电路效率高。（ ）; X; o/ `3 Y$ o
A. 错误/ x1 H7 F! p. I
B. 正确
7 v4 v- ?! y1 z9 K 满分：2 分' C5 Z6 e' e. A5 m
8. 电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的；（ ）" f8 ^1 j' q+ } k" H3 b; t' `
A. 错误
$ R# [/ Y6 r2 D4 EB. 正确
5 y$ Z& P1 B0 G 满分：2 分0 v* N5 m8 m& N
9. 在变压器副边电压和负载电阻相同的情况下，桥式整流电路的输出电流是半波整流电路输出电流的2倍。（ ）! n: ~% l3 Z0 P: a
A. 错误
* @1 H& v; ^: ]2 P9 w" A3 Z% sB. 正确
* l6 y1 m# Z0 N! \ 满分：2 分
1 q5 ]& @( d) {: g10. 运放的输入失调电流IIO是两端电流之差。( ), b" O# @' i! l% j; A( v
A. 错误
0 |% \0 M" j7 L/ I& g- UB. 正确. N8 p0 K2 V5 z& Z' |. S' ^& h
满分：2 分
7 D$ z8 m7 k ]+ H# g9 d) g# Y4 G11. 在运算电路中，集成运放的反相输入端均为虚地。（ ）
% x1 N/ U8 D! K! n; EA. 错误
4 V$ o4 K/ Z' o- T2 ?$ \B. 正确
3 y) j2 `2 B1 {0 b" a3 @ 满分：2 分' f/ M, {% b$ e2 X8 c0 e
12. 只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用；（ ）
" Z+ B( |$ g& Z" E( X9 f4 W4 ]A. 错误
' J2 ]7 @. B/ r# H3 |B. 正确; g7 d- z) E& E" v l/ |2 O
满分：2 分, w1 P- g- R& |. |2 A' `
13. 整流电路可将正弦电压变为脉动的直流电压。（ ）
* b% n% o1 k; c ~/ UA. 错误) C, r; U6 e, C5 m, U
B. 正确- s7 X' i3 U+ y1 p' H) G
满分：2 分. p1 o) @* ^+ q
14. 直接耦合多级放大电路各级的Q点相互影响。（ ）- x$ j. r( G# D- F* o( D, Y1 B
A. 错误
7 F& ?. g& [: p6 IB. 正确
8 u i. Z3 C2 a6 T 满分：2 分
/ j6 u8 S+ C' y$ L! }- I15. 因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（ ）# B6 n5 O6 T; J
A. 错误1 f9 d7 v6 B; a+ P4 A. `
B. 正确/ J7 I7 c1 ] P: Y i! ?0 g
满分：2 分
. z8 F6 }: u1 O4 U" d6 w% x16. 单门限电压比较器具有电路简单，灵敏度高等优点，而且其抗干扰能力很强。( )
+ O8 A+ m# U& P2 Q: ]# xA. 错误! Q3 N c+ j8 Q5 z
B. 正确
6 x9 q) u- X- u2 ^5 O& m# v 满分：2 分
/ B8 J; T$ z' P2 t& b& ?17. 阻容耦合多级放大电路各级的Q点相互独立。（ ）- ]# P6 ^! |- H$ |
A. 错误
# C8 O: q: `9 u: l: o3 MB. 正确
/ P# f3 m# z, [5 N4 U9 {" _4 `) i 满分：2 分
, \3 L9 n7 A0 q0 ]18. 凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。( )& O3 H( C" l4 `
A. 错误
2 Z) Z5 W9 b3 {B. 正确5 V& m7 J$ q8 G. R& i
满分：2 分0 S: V* U4 A' F$ P$ h
19. 在稳压管稳压电路中，稳压管的最大稳定电流必须大于最大负载电流；（ ）% h. x$ [: |1 q% }( h( ^2 x: f
A. 错误
1 R+ t+ P( a6 q& \9 r: ]6 e. EB. 正确' ?( H" h- t2 z5 B# e6 Q
满分：2 分3 d- r9 ?# t$ v8 o. c) z
20. 若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。（ ）
: I+ u0 N- Q6 F9 ~" @, i: [A. 错误' L9 N+ y: R# _. s# F
B. 正确7 C- {0 c7 I3 A
满分：2 分 7 [- V. D+ r4 _, r' N3 g5 N: @& ^
, I* \1 G' ?. e1 C7 |
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发表于 2012-5-24 10:00:45
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