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福师11春学期《模拟电子线路》在线作业二

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发表于 2011-8-22 00:10:56 | 显示全部楼层 |阅读模式
谋学网
福建师范大学8 M; P7 h  Z9 e7 F5 N& P
福师11春学期《模拟电子线路》在线作业二         久爱奥鹏网:www.92open.com  7 y, M6 ?/ x) h" L1 I( l! K  K9 {; r
单选
1 F1 q! T# i; `7 _0 I8 i! U1.对于放大电路,所谓开环是指( )! D  g; j8 X  g1 r: m
A. 无信号源$ H! B7 V/ S  e, Q# K; n0 d
B. 无反馈通路( |. f( ]1 x  f7 y, Z7 v
C. 无电源
8 r/ s3 C7 d1 _" G3 ?: d  C. DD. 无负载
$ @0 h# ^) t- C7 ~+ |* F资料:B
, ]1 R* Z# p9 V# `8 j: M2.杂质半导体中,空穴的浓度比电子浓度高得多的,主要依靠空穴导电的称为( )。
6 ~0 x% `) [7 GA. N型半导体
2 ~' V, O& r/ u3 Y+ i( o* kB. P型半导体$ T' {" B1 r/ p- r' w+ `/ M! V
C. 电子型半导体
* R6 |9 l. M- Y7 o. ~& }5 N资料:B( L4 x) |4 `+ A0 x" Y) V
3.已知输入信号的频率为10kHz~12kHz,为了防止干扰信号的混入,应选用( )滤波电路 。
+ ]0 B2 t% @' s6 tA. 带阻
9 W0 \' R6 j2 Y8 AB. 带通
3 m' a0 W+ P* F- Y; K2 @4 UC. 低通
) C" ?$ ], S8 J% K3 w$ L! W8 bD. 有源
) F1 A3 b* M& `$ a  H+ B资料:B
, a& U: v$ t. }+ l- g4.对于硅晶体管来说其死区电压约为( )7 b/ {- J3 K! k, t6 B+ g6 [4 k  n% H
A. 0.1
8 p8 c* B2 W9 j8 @  b/ @" J3 Q* NB. 0.5
: m7 j+ Y  ^  J8 t& aC. 0.7
6 m# L0 G1 _1 ~- m2 a; {资料:B
9 ^% X: Y" M  ?5.温度升高,晶体管输入特性曲线( )5 v& O; y1 D. [6 J
A. 右移
3 R( {% p9 |, R; bB. 左移
1 [6 l1 P4 {: Y, A* c9 sC. 不变
; N6 I  P8 t2 t2 _& U: a3 o0 b资料:B
( i/ H0 d. Z$ Q) @6.PN结加正向电压时,空间电荷区将( ) 。
9 V5 g3 z+ \+ q# D3 K- k5 G9 EA. 变窄9 G8 n  M! k8 \$ r, m
B. 基本不变+ `; L) T* f% D: {( z3 f6 ]
C. 变宽/ P( z. D  n, e3 [, B& Z* R: m0 A
资料:A
6 r6 n' U! u2 b4 N; q( R3 ?/ }& V7.( )运算电路可实现Au<0的放大器。
, l" V/ k2 E: W5 K8 y  U  ZA. 同相比例
  h9 G2 ?4 r' O' D  W% {B. 反相比例                            久爱奥鹏网:www.92open.com  6 ?6 q3 G# H8 p$ @* ^
C. 微分
+ v+ l) J9 D$ \/ I# ~, E) oD. 同相求和
- P8 ~' _7 L! j% r2 G资料:B
3 H* Y; [) V, g9 |8.集成运放电路采用直接耦合方式是因为( )' d" W" a- ?/ A2 ?; [, S" Z
A. 可获得很大的放大倍数8 W4 S% w5 d8 ~) {6 ^$ k; v0 L
B. 可使温漂小( [2 q; J2 c+ \3 M. }3 G9 K' \
C. 集成工艺难于制造大容量电容4 Q" D: c5 Y  J! T6 c$ e9 p& Z
资料:C
) \  v3 a" u5 Y# ~& O& `1 W9.有一晶体管的极限参数:PCM=150mW,ICM=100mA,U(BR)CEO=30V。若工作电流IC=1mA,则工作电压UCE不得超过( )V。
8 [+ p* [0 Q! n) \A. 15
$ x$ J# m8 C8 o9 t4 r# G! RB. 100$ c9 b6 A0 L1 L* q- A& S2 a
C. 308 G, I3 O: ^$ B+ q8 g, o& K4 K
D. 1509 d" y5 \  V9 o, h
资料:C; q6 w  [/ t  O4 b2 W
10.在单相桥式整流电路中,若有一只整流管接反,则( )" ~9 C7 L: O9 y9 }, j
A. 输出电压约为2UD
0 o3 v0 r1 K( I7 MB. 变为半波直流9 O) U* a- v% W; U
C. 整流管将因电流过大而烧坏8 H- e9 `& T" [  M% k* ^
资料:C
+ q+ |- C9 B- H! U11.使用稳压管组成稳压电路时,应使外加电源的正极接管子的( ),电源的负极接( ),以保证稳压管工作在反向击穿区,稳压管应与负载电阻(),由于稳压管两端电压变化量很小,使输出电压比较稳定。
, e8 k) q! N- }A. N区 P区 串联
8 i  D* p' B+ _) YB. N区 P区 并联' F+ T+ Z/ z! }6 Y
C. P区 N区 串联5 a. |' {, I7 _5 U
D. P区 N区 并联7 X, V2 T5 K! \, v
资料:
3 n  w, [6 w$ b/ y( M( P12.用直流电压表测得放大电路中的三极管的三个电极电位分别是U1=2.8V ,U2=2.1V ,U3=7V , 那么此三极管是( )型三极管.
6 D. l5 o! e0 _! j+ R& E0 UA. NPN
0 w/ V' J# F/ HB. PNP
% q7 a0 K( b1 f! H. u! Q资料:
% |5 l# R. S" w  g2 p13.功率放大电路与电压放大电路、电流放大电路的共同点是( )  o  E  X# x3 S4 v
A. 都使输出电压大于输入电压
" S* [  Z6 ^9 o5 ]. s! g! T9 L1 {B. 都使输出电流大于输入电流/ \% K2 O/ Y& H# R
C. 都使输出功率大于信号源提供的输入功率
8 l; m: c+ N) W1 f8 y" s- N资料:- {8 C6 u) u8 @7 i
14.在()三极管发射结和集电结都处于正向偏置状态,管子的集电极电流基本不随基极电流变化。( )& W2 u3 L% X, P9 T& |; U* p, s5 b8 L
A. 截止区1 o" }  C. y, r% i# `5 [
B. 放大区& d# T, Z4 A( l8 J6 N
C. 饱和区6 \, u  p; v2 \! k
资料:
2 p6 `: m6 @5 V2 j( ~15.在本半导体中加入( )元素可形成P型半导体。) L$ {% ]4 r  J; F7 `# |5 [
A. 五价
, K4 [+ O! ^* H" \1 C4 N( TB. 四价
$ y0 @& r" o3 E# m8 a% z+ G( c+ H: nC. 三价/ j$ E0 F- ^4 l1 s" H' ^
资料:
6 T6 _+ B9 M; v! H* j# I; i" L! _/ _16.温度升高,晶体管的管压降|UBE|( )
9 b$ p/ p; ]9 }8 O: PA. 升高$ ?  o# j* e' [- s7 D. {
B. 降低
0 q  b5 R" q8 `9 G: C4 BC. 不变" x3 T7 l* z( y) m) P; J
资料:% w7 L5 V/ |, |4 W1 @
17.当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为( )。
- o5 G2 g- t, }. j; d  _: q, HA. 前者反偏、后者也反偏( `; Q" R2 g: {% P
B. 前者正偏、后者反偏
9 d6 n' t" X0 \. N5 Y/ a3 \  bC. 前者正偏、后者也正偏
5 S& G, Z, k8 B. c7 C资料:
& ?% k( c; I# Z/ k7 r: j5 \: g* Y& g+ J18.UGS=0V时,不能够工作在恒流区的场效应管有( )。8 e# V4 T% R# @7 `# Y1 Y
A. 结型管1 D$ g2 X% a* R) {5 ~& c# G
B. 增强型MOS管
7 G- m' Z7 h0 d: rC. 耗尽型MOS管
* {; O/ P$ \# A/ i# r资料:
3 s  ?8 E  F2 U7 }3 l  P19.温度升高,晶体管输出特性曲线( )8 p# y0 x' {5 W  C* |& i; I, T
A. 上移0 [1 t* [/ l3 m/ B3 ^% e3 V1 w5 `
B. 下移' P$ `8 F: M: ^8 O; z
C. 不变
# p1 X" H1 Z# l) b  e" w资料:5 W5 l! E8 U( ?
20.在( )三极管的发射结正向偏置,集电结反向偏置,输出特性曲线比较平坦,近似为水平的直线。5 E9 M% T& Y+ _/ C
A. 截止区* X3 O4 u  \4 r+ ^8 |
B. 放大区' x3 Y5 r# n  Z! m7 ^6 e
C. 饱和区- X* ]: O! S8 P) R9 l/ R
资料:/ n& h) f1 ]3 k0 q/ g/ v: J
21.锗二极管的死区电压约为( )           久爱奥鹏网:www.92open.com  3 x; R& f5 ]- z
A. 0.3- v/ R9 {' i6 R/ E2 i( J
B. 0.2
2 R$ f& {* j: Y( eC. 0.1( E  ]6 U# y6 L7 ~9 _% n+ r+ }
资料:: I# a: Q$ n) _1 j; U0 M, |9 ~" S" y
22.直流稳压电源中滤波电路的目的是( )
0 ~8 J7 x  D+ g, f% j- w* rA. 将交流变为直流
- L+ }$ C+ R- BB. 将高频变为低频
/ H2 q# R$ A. j9 @" F  e- uC. 将交、直流混合量中的交流成分滤掉% \* U3 |; d$ j& q6 ~
资料:
3 n) W" k6 x! F. u# |; M3 X23.功率放大电路的转换效率是指( )
8 _- x' `- ^% J" o  F! k0 lA. 输出功率与晶体管所消耗的功率之比
$ U8 l# F" M# Q: mB. 最大输出功率与电源提供的平均功率之比! u7 K: C) f6 [% n2 x
C. 晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比2 A' e  M' ]" O2 g. j) _
资料:
4 A! ]& n0 A: N- f$ Z24.通用型集成运放适用于放大( )
) C# V% V9 Q. h! ^' JA. 高频信号' W0 j7 i' Z9 |( ^1 C8 i* z
B. 低频信号
! u. E* s" Z2 \: `; W; @C. 任何频率信号1 r6 v. A# J3 }  Q6 C  r3 t
资料:/ u  i4 O1 x  p1 l. i  Q; q6 s5 Q3 [
25.用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻Re,将使电路的( )# j0 E9 x9 ]0 }. _6 v- e' [; o1 `
A. 差模放大倍数数值增大1 Z' V: R) i1 g
B. 抑制共模信号能力增强
7 I% F: |( L4 l! n% [C. 差模输入电阻增大
+ b* E# E9 q" `; I资料:( g7 F* `9 x; z: j& @, M+ y
多选题
4 ?9 i4 x+ I+ s8 E/ k6 J8 L* g' u1.欲实现Au=-100的放大电路,应选用( );欲将方波电压转换成三角波电压,应选用( )。
! }: t: o: Z# K) yA. 反相比例运算电路
% o$ ~  o. y5 H; [B. 同相比例运算电路' ]# r, F) M- J+ n1 D' m
C. 积分运算电路
) o. Y3 U$ H( J& X7 \4 q2 U% K4 zD. 微分运算电路0 Q/ k5 l& H$ v8 q( ]+ B& y9 A7 d. R
资料:
, B2 k  b9 e: p2.放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是( ),而低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是( )。0 C7 t) n: X* m+ k0 W- U6 d/ \
A. 耦合电容和旁路电容的存在: T1 K. ?( t9 \* ^8 J% [$ B1 K5 f
B. 半导体管极间电容和分布电容的存在# b8 ]- p5 T: W9 W% @4 L3 O  y/ R; T3 M
C. 半导体管的非线性特性9 M' q8 W) t7 w
D. 放大电路的静态工作点不合适
/ i, p" d: b& F+ J' Z+ M) m" R资料:AB* w( }1 d) t% H
3.在选择功放电路中的晶体管时,应当特别注意的参数有( )。
& T9 B0 n/ c: J3 w- A4 Z0 d# qA. ICM
9 n2 ]3 @/ C, e7 e) N0 xB. ICBO
3 ?+ K+ u% V0 S, ~C. PCM
* q- y) V0 y. z- H) n资料:
9 Z# V  W$ Y8 }4.功率放大电路与电流放大电路的区别是( )
( A5 h$ L# J2 JA. 前者比后者电流放大倍数大' c$ U2 U6 u' Z* O# I; {
B. 前者比后者效率高
; m8 [, |6 }! k# \C. 在电源电压相同的情况下,前者比后者的输出功率大; R5 E. p* L9 Q2 }
资料:
( p* M/ f: o5 n. }5.要求输入电阻大于10MΩ,电压放大倍数大于300,第一级应采用( ),二级应采用( )。  u% U1 Y+ V6 r# y" p
A. 共源电路
9 @$ G2 V$ Q( U0 G1 @. iB. 共集电路
) X+ \$ l" v  q! u- ~C. 共基电路5 S3 K, U3 L8 Z  `0 b' Q
D. 共射电路
; ^9 E' C& k; E4 [资料:5 ]6 M+ e1 R; y8 F* y4 w8 N  ?7 D
判断题/ F% ?" a8 g: j. o7 q& Z: L
1.凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。( )
4 O6 T$ w  v+ Y1 I" OA. 错误
0 b9 r( s% Z% q0 m( [4 k& Q1 a0 TB. 正确
' g9 Z# S9 S% B( Q/ f资料:
; u% X: b. _0 [2.运算电路中一般均引入负反馈。( )
& y5 d1 \( n6 n* dA. 错误
, X' N+ j$ ^. Q& T; w* M. yB. 正确
* E7 K( \8 \+ ^1 v资料:& w( p( Q+ Z  l
3.阻容耦合多级放大电路各级的Q点相互独立。( )2 U% e! \, d7 H3 p! z! }
A. 错误
( w2 l' z7 Y: ], iB. 正确
% _3 V- v" e4 e, l& l: @+ ?资料:2 }7 Y4 w. C. U+ Z! x/ L- \
4.因为串联型稳压电路中引入了深度负反馈,因此也可能产生自激振荡。( )3 k' Z  ]/ P% b8 O0 }0 D1 N
A. 错误- y4 K" l) V/ i! K0 L% {% L5 w
B. 正确
, z) S7 ]- ]7 N& F- `3 Q资料:
1 e! P' u* i5 L& Y) s* L' d5.现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为-100,将它们连成两级放大电路,其电压放大倍数应为10000。( )5 _" D# L3 _* \. l6 Q" J  i3 i
A. 错误
+ M- C5 m8 g/ g1 T( Y7 h8 d; DB. 正确% J% S# D# k% ^5 S3 E/ P2 _. ^2 N
资料:
1 t8 P1 p9 r  p. \6.电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的;( )% m! ?6 J9 L' w
A. 错误
; O1 {* b5 X* y- N4 Z+ LB. 正确
5 S7 H# ~- q8 ^( F/ A6 `资料:/ }; I8 x. n3 Z, E. M6 {/ U. r
7.结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其RGS大的特点。( )
0 P! {: {. q( Z& C9 Z! BA. 错误4 D/ F6 ]$ L3 R0 F/ ]( Z& m3 g- y6 C+ v
B. 正确# ^. Y  E% d" Z) Q' ?6 P  u
资料:
  n) O+ ]" H3 K; E( I+ ?2 |* u8.只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用;( )
' @+ [/ p' \5 r% Y6 @* g( u' a5 PA. 错误1 p. W, [# G# h7 b. r# I  K
B. 正确
* j$ D0 Q  n% D2 x. N( K5 H资料:) X( A! ^% K0 P  d% I1 I! ^' e' U; d
9.线性直流电源中的调整管工作在放大状态,开关型直流电源中的调整管工作在开关状态。( )
9 U6 n) b5 S) B6 A# y9 ZA. 错误" g9 ~5 v4 _! E* k! ~# z
B. 正确* ]. A; X' V. Z  P
资料:
; G8 t& e  \: o/ n1 Y9 z10.可以说任何放大电路都有功率放大作用;( )
& m% F1 o1 F5 m. o7 yA. 错误
. X& p; E! a% EB. 正确, A& V) ~4 F- l5 y
资料:
, m. @% u9 T' c# f11.运放的输入失调电压UIO是两输入端电位之差。( )3 U" A. M  G( u' D5 X1 P' R: Z
A. 错误
7 O. E8 v: i3 ~0 s5 tB. 正确
! Y! R- w+ I+ T1 x' m资料:: D! K! V0 {& ~1 @
12.在功率放大电路中,输出功率愈大,功放管的功耗愈大。( )
7 `7 p% k# N6 F6 J; E! |. bA. 错误+ v+ S3 B) ?1 ~# c5 L! E# N1 A
B. 正确4 l0 }/ E' H: `- }. m; ~) Q+ v5 g
资料:, p8 z9 S( j5 I, g
13.只有直接耦合放大电路中晶休管的参数才随温度而变化。( )7 o9 O" a# S5 m. p
A. 错误
* g, d8 ?1 U: o; aB. 正确% f) y4 p6 o1 T& u" v! ^2 j
资料:
  m9 T9 R* v# c' X! R14.在单相桥式整流电容滤波电路中,若有一只整流管断开,输出电压平均值变为原来的一半。( )% ~, U9 m4 L2 U
A. 错误$ H0 L7 t  l- K
B. 正确, j; x# \/ j  A. u
资料:
$ }8 |: L) X4 l- [: n- d15.放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的;( ), ?" D8 z2 D. h- k
A. 错误
3 C5 c, n7 H% e/ v1 v3 qB. 正确$ ]) O* o2 ^0 p' L
资料:
, |7 k5 r4 N6 _( E16.运放的输入失调电流IIO是两端电流之差。( )
& `, s+ U. _1 B4 O" D% Q* j* IA. 错误( Y) O* u4 G6 y9 S% Y6 }
B. 正确
: \4 u* ?$ x, s+ `, i! z! P/ e6 j资料:& D3 W7 I2 P& B6 N5 z
17.由于放大的对象是变化量,所以当输入信号为直流信号时,任何放大电路的输出都毫无变化;( )5 i5 f, j" y! p% I
A. 错误( e6 k" ~# }! u4 f# z2 t, p
B. 正确
% o+ J! Z6 f4 {( m" ?资料:
9 J" d) i8 u. ~6 K, s6 A$ z2 z18.功率放大电路的最大输出功率是指在基本不失真情况下,负载上可能获得的最大交流功率。( )2 H+ ]: E$ ?8 m1 F
A. 错误+ b7 `% W" p6 ?% d7 U
B. 正确
+ {* H) E: s# ]5 u8 _资料:
( F4 [4 H6 ^' z1 s4 @5 q6 {* }19.放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作;( )) O. ?  r" j2 `% N# g- p( Z- s
A. 错误
0 M( m+ L  G8 o" v& t- ZB. 正确4 C  X1 [) ]! m8 Y$ O6 W+ ]* B. E: z
资料:0 t' K* l$ Q- b5 K+ M9 `
20.因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。( )/ a" {; u% Y: P, O3 n3 C# z
A. 错误
; _, R; ?  f5 A9 Z1 bB. 正确8 j/ B1 e9 }9 J. x/ a
资料:
) }. N0 z- N0 x( x8 s久爱奥鹏网:www.92open.com

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