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16春福师《模拟电子线路》在线作业一辅导资料

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发表于 2016-4-27 12:31:59 | 显示全部楼层 |阅读模式
谋学网

: x' ~/ p) a- g9 E  i福师《模拟电子线路》在线作业一
* [) n+ `9 c* Q3 s& e3 i& [) i
' H! d8 B( }7 B
( V, T7 d& `( x" ^5 {3 q! f/ }; Q3 I
# Q4 `0 r  S" {: g$ D6 u
一、资料来源(谋学网www.mouxue.com)(共 25 道试,共 50 分。)5 P' M4 U! O$ G$ ^! n/ l/ s
8 @( f4 p) ]4 t% S
1.  通用型集成运放适用于放大( )
' f( J: z6 R* M& K. 高频信号- ^7 k6 m) i/ \5 H. Y/ `
. 低频信号
9 G' r" L* A# i7 ]. 任何频率信号
/ G3 x$ ?1 Y- p8 X$ t8 {' @正确资料:% n& M6 r& q1 ]% ~
2.  欲从信号源获得更大的电流,并稳定输出电流,应在放大电路中引入( )。
1 k. s& l; w4 }1 H6 |. 电压串联负反馈2 X' u* n' _$ s- d; M. X/ U
. 电压并联负反馈9 s; J& s' _) M2 N( p  u
. 电流串联负反馈
( s+ S8 Q* P0 ~. 电流并联负反馈. w9 u( _+ s3 W5 c3 U
正确资料:" ^! T+ `( x0 [: ]) \2 `( {
3.  功率放大电路的转换效率是指( )& @* t  z8 s& {# `+ g5 E
. 输出功率与晶体管所消耗的功率之比" U. b+ m4 J$ j) ]. s3 h. O
. 最大输出功率与电源提供的平均功率之比0 F- s/ @" o9 k' W5 q% T+ O
. 晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比
, c' P9 F7 t( p7 w0 h2 f3 W正确资料:
; E, o; U  V, `; f4.  本征半导体中的自由电子浓度( )空穴浓度
' I' i2 M" c: q3 @. 大于' @, Q$ A4 \4 U# T& r7 m* }
. 小于
+ ^1 O+ Q  ~' z( v6 E. 等于
! |% _/ G5 X; J$ p2 g, N- C* m正确资料:
1 \: D+ m" l, N9 L5.  温度升高,晶体管输出特性曲线( )2 l7 K+ V6 y' D' H
. 上移
1 y- f0 J8 d& K* w; X. 下移
" ^: J' _3 |% y8 P" B6 M. 不变
) ^( o5 r5 q7 D3 X3 f( h) p8 s4 n正确资料:
! y9 `0 B+ Z- c  P8 @9 t6.  在()三极管发射结和集电结都处于正向偏置状态,管子的集电极电流基本不随基极电流变化。( )
6 i  e; P' ^& S; i+ b. E. 截止区* I3 T$ u1 [( W7 B5 k: s
. 放大区$ m% v" b5 A7 M' K. v+ Z
. 饱和区) o- s" \! g; a5 j6 r2 c
正确资料:
4 T1 f8 }1 G3 ]) h9 }7.  用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻R,将使电路的( )/ E3 D& O5 O3 w! ^
. 差模放大倍数数值增大
# Z6 ^, b9 f/ W7 c0 }3 y. 抑制共模信号能力增强
- q& k/ ]7 m# N: z. 差模输入电阻增大0 d  g# p8 q) {" T: [4 U
正确资料:" X1 R. s) o0 O9 i/ C  U" }$ ]1 {
8.  由二极管的伏安特性可知,二极管的管压降越高,二极管的电阻( )
  R0 b+ ^5 T, X' c. 越大9 S1 ^- S4 h+ L8 a  [
. 越小$ Q( C2 p# Z3 F1 J1 M% H
. 不变8 E: V- x) k3 j4 J' G# l. R' l3 ^
正确资料:5 S: E4 ~: z: A  @
9.  测试放大电路输出电压幅值与相位的变化,可以得到它的频率响应,条件是( )
: b) V) |( i' a+ H! T. 输入电压幅值不变,改变频率7 A% x/ e0 @! w
. 输入电压频率不变,改变幅值
( V1 E  m+ n$ e3 C. 输入电压的幅值与频率同时变化$ a" O7 V4 s5 |; W
正确资料:
2 M- W% S3 v, c; V4 V10.  对于放大电路,所谓开环是指( )" X! l) w1 H- U3 ]+ c* d! e
. 无信号源" I$ y- ~5 p7 \0 \
. 无反馈通路- e4 _# {: _" ]
. 无电源4 ~5 |. u; N9 C# ]3 E. f. V
. 无负载
  _  Y& ?7 v  |' x0 l* T+ u4 [正确资料:
$ f8 b3 W) R* A% Q' Q11.  在本征半导体中加入( )微量元素可形成N型半导体。
5 U0 a0 b) A* Z" e7 l5 K6 y. 五价3 ^# B1 R( p8 R5 f) Z
. 四价
. o% C; l: L  u8 E, l. 三价1 m' \% b3 S- y. p1 h3 b
正确资料:) G2 a* U. X2 o3 h; `, O2 G
12.  杂质半导体中,空穴的浓度比电子浓度高得多的,主要依靠空穴导电的称为( )。
7 q' {5 {: |2 ~7 d. N型半导体: n1 U  j5 g1 w2 e1 R& z
. P型半导体
# W+ L, u. _& N! K4 \) l7 P+ Q. 电子型半导体
* C! R% S! b2 B! \正确资料:3 f, D( k3 ~# O5 g+ e/ h
13.  稳压管的稳压区是其工作在( )3 m7 m+ d- @) @+ l; p
. 正向导通/ H- O: y$ Q1 V* c5 C
. 反向截止
! o% U4 T  \. z% ?5 P+ U0 E. 反向击穿9 Z% S; b+ H$ |" V% w4 C0 v& U' U1 c$ I
正确资料:4 [; k! ~0 x- O, C4 [9 e
14.  直流稳压电源中滤波电路的目的是( )
% ~' f/ F1 `& j& D. 将交流变为直流
7 U5 o3 m9 h+ A# {6 V0 o# g. 将高频变为低频
; ~: G, a. I3 G; q* ^! Y. 将交、直流混合量中的交流成分滤掉
3 u/ `4 m" H, D0 e- i2 Z2 [+ h正确资料:4 K1 f& ]( S0 d2 t" L
15.  已知输入信号的频率为10kHz~12kHz,为了防止干扰信号的混入,应选用( )滤波电路 。
: V4 N' }( X0 V! @' q# j, z. 带阻
3 |# P! J0 a, P: k. c. 带通
( b0 N- h2 ]- X9 Y. S. 低通3 {3 I* Q1 c- T
. 有源9 l% D! X$ d3 a
正确资料:
  G5 G" e0 g" V/ U16.  集成运放电路采用直接耦合方式是因为( )
% I, s0 G* E$ v0 a. 可获得很大的放大倍数
4 R" R) J' E  g: c' R; L0 V, ?8 H. 可使温漂小
8 R2 [& G/ o3 P. 集成工艺难于制造大容量电容
' F2 ^: f0 d1 x7 X+ G正确资料:# Q. q% a; A) g  E; O0 Q, Z1 o
17.  为增大电压放大倍数,集成运放的中间级多采用( )
! k4 u/ s- o3 U! R! e. 共射放大电路
" m% l4 z5 d) S* T$ N. 共集放大电路
3 r$ z" G% I7 W3 d" c- G! ?. 共基放大电路# [- p% ~/ e+ A; A# {; _
正确资料:
1 ?% l5 a0 U. h: j" h% E18.  互补输出级采用共集形式是为了使( )- w& K2 C6 Y! M0 `3 l) ~
. 电压放大倍数大
: t7 O+ Z( G& P. 不失真输出电压大' C0 t3 f2 p1 z3 O* i  h
. 带负载能力强; Y$ |  E' d5 k# O+ O& s0 {
正确资料:$ X% n# C9 f7 C) g1 T3 b
19.  集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以( )
- ]5 x+ q' O% D. 减小温漂
8 k5 b8 c: W5 G6 Y. 增大放大倍数. L! s3 M" e. H- e
. 提高输入电阻/ P, C* f! C1 S
正确资料:
; ^+ g  c! V* }+ p1 w20.  欲减小电路从信号源索取的电流,增大带负载能力,应在放大电路中引入( )。" g9 g$ y2 A1 d' e
. 电压串联负反馈( o' ~/ {" I/ ]
. 电压并联负反馈% f  M3 r! `) l2 P
. 电流串联负反馈0 V# v- _% i# s8 x+ ^% u
. 电流并联负反馈/ }& a- I$ j3 ~" Q
正确资料:' w2 x. t  }! ]1 ?/ N# x# ?: x3 G5 u
21.  锗二极管的死区电压约为( )6 r! Z( a+ i- @* R: o* p5 Y3 ~
. 0.3
! k+ z- c6 a6 K) ^7 y/ W. 0.2
6 u+ R$ A! c+ z  i/ B. 0.1/ I, n6 h! c  c  ~9 g
正确资料:9 ?; q: P: G+ j. W
22.  用直流电压表测得放大电路中的三极管的三个电极电位分别是U1=2.8V ,U2=2.1V ,U3=7V , 那么U2=2.1V的那个极是( ).
5 ~2 [, h/ s9 N) z, L5 O. 发射极2 a1 Q" |8 o8 O: Y9 {; R3 n5 I
. 基极' T$ ]* Y/ l* p8 f5 B: |
. 集电极. g7 V9 v2 Q2 z" C
正确资料:# ^: d( C, i  d
23.  当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为( )6 \/ {* o6 l+ V: L$ _9 c
. 前者反偏、后者也反偏
. {" g: U7 B9 a$ O9 [. 前者正偏、后者反偏
& q6 h, b& k; M9 a! L- ~, f. 前者正偏、后者也正偏/ X1 z0 Y9 }8 o' _0 C7 i- o  d4 p
正确资料:9 R2 M# F+ ~+ m: A) v
24.  在本征半导体中加入( )元素可形成P型半导体。+ Z) T1 s. O+ Y% A# a: x
. 五价
4 I& O+ h+ w3 [" {* |$ x. 四价7 g$ I6 F; T& ^! l
. 三价! q/ V5 [) P4 O. E5 d# b
正确资料:+ s( y# G1 n; e& |3 b' B, N
25.  交流负反馈是指( )5 S+ }+ d3 I: k7 v3 T8 g( E
. 阻容耦合放大电路中所引入的负反馈6 ^5 ~9 j' n$ d( |2 \2 c4 ^
. 只有放大交流信号时才有的负反馈
& Z6 k* Y# W( H% u5 Q: c. 在交流通路中的负反馈8 y& N: j$ Y2 _6 O) w) F' S
正确资料:2 q2 g0 p; _9 n; P6 y0 b- c( k
3 K: ]+ a* T1 G
5 O8 V7 }1 {7 t6 Z+ B6 F
5 l# i8 b0 I1 ~. d6 B
福师《模拟电子线路》在线作业一4 G' _% X2 _9 v9 Z7 K

/ A. i8 ]- H  \
* A% I; L& Y: W7 ?. u5 |. T1 t% F! I& @5 L
+ Q# P% t7 L1 x' [$ t
二、资料来源(谋学网www.mouxue.com)(共 5 道试题,共 10 分。)
$ A" c3 I7 C3 }# p: u# J1 l$ p, c4 P4 c- \
1.  要求输入电阻大于10MΩ,电压放大倍数大于300,第一级应采用( ),二级应采用( )。/ u! d$ M7 {3 J3 E5 t% h
. 共源电路
1 D0 u$ M3 }# T8 `8 U( W. X. U. 共集电路
3 p* `: M& e7 R+ j4 \: n. 共基电路6 w$ s% ?, H/ O, X( M. J; w3 r
. 共射电路
% o- r" @" z2 p, w6 S" j正确资料:. {% c( J9 y# S& ^/ n
2.  欲实现u=-100的放大电路,应选用( );欲将方波电压转换成三角波电压,应选用( )。
* o% N/ C: g& O; B! o- ^( y. 反相比例运算电路5 g9 g* c0 @7 [# v
. 同相比例运算电路: P; t# i- \: X% _
. 积分运算电路
0 e! c. b" z+ e4 }( }! F$ q. 微分运算电路
, @" h( [3 d) b正确资料:$ y/ e: I) C7 ]& O( O5 O/ i
3.  UGS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有( )。
0 e/ @8 i7 }2 D9 R. 结型管% k" p: q$ L: V  }9 t: Z( [
. 增强型MOS管& D2 z3 H* z4 d" X
. 耗尽型MOS管
% u1 y$ \; ~0 v5 ]/ G) }8 g, @" |& ~正确资料:$ L0 n6 W; x0 ?' l5 J
4.  对比较器的基本要求主要包括( )
& {8 P) A. N" B7 B, I8 T- f/ A. 反应灵敏8 c* ~4 J: h2 ?6 d& x; G
. 判断准确
2 r  x4 m' N$ h7 V: ?. 抗干扰能力强6 v1 o6 i# H# ^( e: I: l% ^, `
. 动作迅速
0 z: C: L1 D5 |( a8 p% ^$ H- N正确资料:: p$ C* z: |7 l" s# i1 a0 \2 K
5.  直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是( )
  E; ?* t3 C7 }. 电阻阻值有误差
* h5 l" F% Q4 g8 |+ i# z% l! `2 y. 晶体管参数的分散性: E) m0 J3 \* _# g# Q: i
. 晶体管参数受温度影响
: |3 B% l7 T+ U: c( u# y6 a; v. 电源电压不稳定, K5 g( m8 X1 Z3 ~# P7 k
正确资料:- k3 ]& x. F6 j: M- ^
8 O8 Q2 S! i; \1 H6 M
3 b1 |. b* ~/ @/ O/ G
" X+ r: @7 E! P& f0 w! x) C
福师《模拟电子线路》在线作业一
" ]6 }5 i6 e% T5 \: M! B4 N) P( B8 G
9 h' U- [1 `! C- h# U  ~+ n
5 s2 O/ u+ i  q, a) Q0 @
- p+ P2 Z% S2 c7 I3 G) w
7 y6 _; o- W, b2 e- O三、资料来源(谋学网www.mouxue.com)(共 20 道试题,共 40 分。)+ e' t( e# O" ~$ \" X6 y4 K/ H
  [5 b) ]; G: W1 K3 f* g# Z
1.  直流电源是一种将正弦信号转换为直流信号的波形变换电路。( ): e- L1 u# t) z& b% Z
. 错误
" u4 I$ E7 M8 E/ E8 g. 正确7 [0 D# A3 Y  h4 r, E! n
正确资料:
) @' t3 {/ [. u0 L1 w2.  只要是共射放大电路,输出电压的底部失真都是饱和失真。( )
. r0 l. i) S( A. 错误2 I8 x5 M: C* B3 {+ m  K( O
. 正确+ `! s8 {0 Q2 t; K
正确资料:! O' j% V4 ]" y
3.  可以说任何放大电路都有功率放大作用;( )6 @& I. Z+ ~3 O+ m6 @8 p3 x2 I/ v/ Q
. 错误
. s9 b* ^+ F) \% u; ]& w% A. 正确; ]$ ^$ c& R3 M5 {! b
正确资料:/ \1 D; C4 h5 Y$ J* h" W0 o
4.  阻容耦合多级放大电路各级的Q点相互独立。( )& f; y( E3 w- e) d
. 错误
8 Q) h3 B7 K" C: b& s; U: t. 正确
; R# K' }4 I8 }正确资料:" ^$ ~0 c# X# F6 y% f4 K
5.  因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。( )
6 R- @' R  d2 g; ?# D) E. 错误3 n6 r+ W1 L8 g1 l3 B% a. ?
. 正确4 Y# s# [( R6 y2 j) S
正确资料:
0 h- M5 s$ K0 H7 g/ r6.  直接耦合多级放大电路各级的Q点相互影响。( )
/ t! N( ~5 x- \* K. 错误3 q- f/ X' y, F7 Q: i
. 正确- l/ w. G" ~. E: q
正确资料:
- l- N) T5 m$ U1 e7.  电压比较器是用来比较电压相对大小的电路。( )1 V  r, d6 a$ A* n! c; l- F
. 错误
  W0 N8 G0 S9 P8 e) }# U: p$ A. 正确
8 f& a% z4 {2 J; T6 C9 k1 o8 B2 f; h正确资料:' a( ^; ?9 I) U
8.  只有直接耦合放大电路中晶休管的参数才随温度而变化。( )( W: M+ b" M1 O4 I4 \
. 错误* c+ @3 F% \) u" y3 U  o
. 正确  Q0 X+ x: f  A7 D
正确资料:
& i( D. y- O; t7 x+ g  e% _9.  若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零,则其输入电阻会明显变小。( ), `5 C  I! Z) e) ?
. 错误, u6 J# Q; l" W% v. w- j
. 正确1 [' W" u: |. Z& @3 o
正确资料:
6 I. @; R0 Z$ c0 o. }1 L2 k0 u10.  单门限电压比较器具有电路简单,灵敏度高等优点,而且其抗干扰能力很强。( )
! `- ]$ B6 f4 j. K2 I! A9 M! |. 错误0 c' {5 Y: D- _- c7 C
. 正确
) J9 C7 ^+ |% P: W正确资料:
5 Q2 b- d& T, K& K4 a. L  t) A6 m1 ]11.  运算电路中一般均引入负反馈。( )
* C1 {" f+ M  [+ s# n# o4 K. 错误* G8 B  c8 j# z- q+ o! E- a; X
. 正确/ D$ c) R! @- J9 |" k7 h+ v
正确资料:+ J1 O9 Q+ `8 f8 q% w' @7 l3 [$ @) D
12.  结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其RGS大的特点。( )
6 A) z! u& A8 R" n. 错误
# Z$ m# Z/ N+ Q. 正确$ \6 [, l& F# o# n) \+ n
正确资料:- R" s" s/ h4 V! D+ i* H7 s1 ?
13.  在单相桥式整流电容滤波电路中,若有一只整流管断开,输出电压平均值变为原来的一半。( )4 c; T4 x- w1 t' U; ]- [
. 错误3 k1 S* m6 N* b" K( f; [
. 正确7 p# |& Z6 ^) a$ z  [! X; T
正确资料:2 N9 f8 e) H# c, E( {
14.  放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的;( )* }, @. j- j( ]% o5 s
. 错误+ y6 q6 U0 ^# W
. 正确
3 _2 l3 \1 P- }5 \! X' z  ?正确资料:; k( L4 ]0 L8 l+ X
15.  在变压器副边电压和负载电阻相同的情况下,桥式整流电路的输出电流是半波整流电路输出电流的2倍。( )
5 T  r; W5 _% X. 错误
0 G* v5 k* [4 V1 o  b; W7 W" D. 正确( Z: G7 a# d7 H  e2 K
正确资料:
5 l0 Y& [6 L) U- G" \16.  运放的输入失调电流IIO是两端电流之差。( )
* l6 [  \6 J+ A  S" A/ j7 S. 错误; H. G7 o1 K4 p8 N; q5 w% d3 Q( y( M
. 正确7 B6 y( D0 Y; k# `! i$ X
正确资料:8 p  \/ Q( l, ]  Z4 l) S" S
17.  运放的输入失调电压UIO是两输入端电位之差。( )9 V* |  G" I9 i
. 错误: B7 o% O7 @- K, e
. 正确0 _4 J: M, F+ F
正确资料:0 w2 J5 V/ n5 o
18.  PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。( )
5 Q4 J( U' D0 I. 错误# P! C2 H0 A0 x1 T$ C1 K4 @
. 正确
  L- |6 J! }7 i正确资料:2 r2 R7 L* a1 P) ^+ J4 X
19.  只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用;( )
. C6 L5 _/ n) k# V2 y! f& O. 错误
& n8 }* N  w( w2 K% g. n9 A. 正确
7 Y* }; g4 X; s* b正确资料:
% ~0 C* \$ f/ k$ G20.  由于放大的对象是变化量,所以当输入信号为直流信号时,任何放大电路的输出都毫无变化;( )
7 v. S% Z; o8 U* c. 错误% V1 I1 m3 i) C# o# d
. 正确
" c/ w" o& y4 O& n/ V1 W, C8 n正确资料:
9 E# ?6 J, ^2 q" g& L7 v# l# a( D- W* K& g+ K' {
. L- e7 x- f2 k- j
  g1 z) ~) ~; C3 U

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