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21秋东北大学《现代电力电子及变流技术》在线平时作业3-1

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发表于 2021-9-29 02:25:55 | 显示全部楼层 |阅读模式
谋学网
资料来源:谋学网(www.mouxue.com)现代电力电子及变流技术-[东北大学]《现代电力电子及变流技术》在线平时作业3
/ S! K5 F# A) D9 _! ]! h# d试卷总分:100    得分:100. f6 A3 k/ |. s: n' S9 [! B
第1,电压型交直交变频器中间直流环节是
8 s& s5 ^, ]% A, NA、电容& C# Y# f4 @  l) L
B、电感
5 v0 H7 n+ F- O! v; S7 VC、电容加电感: E" Y. E- A0 T& O: T1 Q# @
D、电容加电阻
! }+ x8 W! y9 h: @! n正确资料:' j, S  |7 L' g4 l, W0 D
: C/ n; |) E7 p8 u5 I

4 t% x9 T! ^7 z9 `" ?第2题,两组晶闸管反并联电路一共有
/ T4 \7 u' D! k0 ]" K& A* {2 ^A、两种工作状态
1 f2 K8 `* I' S8 F' C. E7 j- Y# t4 g8 JB、三种工作状态3 V! C( v; l* r7 `2 W( e, q, L# t
C、四种工作状态/ g; `/ y( O% M& X
D、以上各种状态3 R* m) n, o" }/ p8 x& K
正确资料:* `' t, `0 v8 l/ O/ q- J

) Y. z9 M  [- V7 U" g) m/ T/ R( Y9 B' f: @& p4 J+ o: h
第3题,全控型电力电子器件有
- J- ]+ f$ A, z' W/ MA、Power Diode、P-MOSFET、SIT、IGBT; `+ Z" u* O6 s: O
B、P-MOSFET、IGBT、GTR、GTO
: B  q9 l$ }8 E/ y0 s6 LC、SITH、MCT、Thyristor、GTO& m' g, t6 n' M
D、IGCT、GTO、TRIAC、IPM, [$ |. j7 X# f( e9 a: c% N
正确资料:" Q5 \2 z6 @: Q3 q' S1 r0 s
4 C4 m0 M4 V% S% X
, Z, }; H1 s  x9 ?
第4题,晶闸管是  i& y# S2 ~3 Q. H) W
A、四层三端器件/ z! d) O/ r, L. E
B、三层四端器件
$ r. }1 k4 j; T. t3 O$ A6 z, `C、四个PN结的器件
$ c$ R! o( D) N/ U7 eD、电压驱动型器件
9 F- p# F; H, w# X( p: L正确资料:7 W+ T# A" ?( P5 o. u
0 {! [  Y" ?0 e( V" A4 w/ Q1 L

+ [& y6 z3 O9 X: f资料来源:谋学网(www.mouxue.com),电压与电流波形相同的是
9 k% E7 `, g4 `8 m# h* h; \A、三相半波整流电路,电阻性负载4 j8 N* `& G5 C2 `" b: M
B、三相半波整流电路,电感性负载
$ s4 ?( e8 H/ v" VC、单相全控桥式整流电路,电感性负载) k2 ^1 K7 @. K1 g
D、带续流二极管的单相半控桥式整流电路,电感性负载
$ ]5 j7 m9 f7 A0 M( x2 L  D9 h8 B2 X/ s0 D正确资料:# z% h2 y+ r6 j, [+ X
( [9 e+ U  y8 F+ N. U, b

; S; B9 g* A/ g: ]* o第6题,单相桥式半控整流电路一共有只晶闸管$ i: D# d: @+ A
A、1; h+ z% a8 g0 q2 p
B、2! H: Q- J  }/ h" t& O- P  T4 L
C、3; _, ^  ^4 I( \& B* g
D、4
8 M6 a; l6 d+ _& D5 z7 n1 z0 a正确资料:( q4 ~% ^1 [- }' K2 Q, k) {
3 {, {  |# l. c# t7 ^
# f! ]  g  Y5 a$ U: {$ ?2 ^# v8 U
第7题,电流可逆斩波电路是2 G' V  W1 ]  I' @; |- j1 e
A、将整流电路与逆变电路组合在一起。
" k# s9 B- |. CB、将降压斩波电路与升压斩波电路组合在一起。; \3 E& f- P/ R+ [! T: ~1 o' H
C、将半波电路与桥式电路组合在一起。* c* g! b! A4 |# S' d2 @
D、将多重电路组合在一起。
) y1 m8 n( O% k1 V5 Y- c0 x1 O正确资料:
+ {4 E- G7 W) G3 K. W2 b0 A) z* C9 K* ]5 ?4 F1 Y

7 Q* i2 q& P- ~) d; i第8题,晶闸管的额定电压是
& \6 d7 `, B# F1 @' I5 ^& T' |, b$ {! fA、断态重复峰值电压3 m1 D$ p9 s0 \. B) s
B、反向重复峰值电压
7 q5 O/ l4 h" p/ ?& QC、A和B中较大者! s! m, o6 a7 Q1 V
D、A和B中较小者
2 _6 }) Y$ [! E8 u正确资料:1 J) ^1 K4 m$ x7 I

- L1 K8 D& p# o. D+ o7 q* q6 s7 j& l! h
第9题,场效应管三个电极分别为
1 x7 A2 T9 M$ G, f* n, t* p( iA、发射极,基极,集电极;
& `- y" I( H$ L) m# c) q' IB、第一基极,发射极,第二基极;2 P/ u8 w3 L+ S6 i9 ]0 h
C、源极,栅极,漏极;
# \  Z. v1 k! }  Y/ N; V# ~D、阴极,门极,阳极。  O8 E7 t" J0 V# W6 H! o) l% a- W
正确资料:
6 ?: k4 d' r& |9 E. a2 B2 d5 y( x+ u* \

. Z( W& h& Q) Z资料来源:谋学网(www.mouxue.com),电流型交直交变频器中间直流环节是
, ~) P* Q" O. i6 i( MA、电容
( m# D: S3 |* E% S3 k2 {: d$ |B、电容加电感/ }0 \1 q8 u: C% h# o+ ]( L$ m
C、电感8 t0 G) J8 {; m( }/ \
D、电容加电阻1 D3 v- E% S1 b
正确资料:0 k+ V7 ]2 b- [( m) i6 l+ G$ @
+ `; [% V& |5 I7 n) [" P5 s3 l4 Q

# t+ P8 _: _  J/ }+ B第11题,三相半波可控整流电路电阻性负载α=90°是Ud波形连续和断续的分界点
( O5 O" P5 `# Z- e& R; ]/ ?$ m" UA、错误
6 v7 \- ]2 b+ S' r2 HB、正确
% \9 k9 r$ p6 v  \6 n- V3 S正确资料:9 E7 Y6 u  ^8 p4 l

$ S+ x2 _0 _, U( l2 z( b+ j) H
! E+ L- n3 X+ o5 P* a7 \; G1 x) |- p4 n资料来源:谋学网(www.mouxue.com),PMOSFET栅偏压大于零时漏源极之间才存在导电沟道的称为耗尽型" z& T$ Z& x" Q$ |* x/ J9 u
A、错误9 N2 P! u. C( F: b
B、正确" H% i" x; ~! }* ?8 w" o
正确资料:
1 i- D( R& M1 z) d) o7 j( f. ?( G+ y/ {. z" j: h

( }: t( D9 w+ V第13题,IGBT存在擎住效应3 j% J- [  J  Z; x9 ?
A、错误
1 N# V" Y- J& q8 n  E8 U" TB、正确
2 _0 D# F8 q4 t) G3 |7 k# l1 X正确资料:, x0 v5 N6 |/ D2 B+ K5 g2 \8 b+ ^
+ a; E3 M! ?: y' x) o3 _% O. A
9 l& L: X) b9 n- n9 b# g
第14题,考虑变压器漏抗造成的换相重叠角γ时三相全控桥式电路输出的逆变电压平均值比不考虑变压器漏抗时减小
9 J* f7 x- w, U0 [5 Q5 E$ p7 PA、错误
- l- T4 k$ M$ |! v+ ~) ?B、正确
1 O( Q- I) ?4 ?# d  E4 q' L正确资料:! e% v9 P2 k+ W; ^7 h  C
" N( I5 K3 `& n' ^  s4 z

4 l- A. Q2 @8 Y- D资料来源:谋学网(www.mouxue.com),单相桥式半控整流电路最大移相范围是180°7 I2 j6 R! A$ C
A、错误
- M6 l8 O+ g# P& X0 TB、正确
. b$ j. n4 {4 [# X正确资料:4 M8 O$ ~( }# m9 j! c9 t8 {' N0 m

! L% e% n/ q$ W) Q2 }) v8 t- }; f4 U$ s9 d! w1 r; c
第16题,使器件从断态转入通态的最低电压上升率称为断态电压临界上升率du/dt( T% j' g2 w4 v5 ^7 u
A、错误2 N7 }8 \$ f0 [/ J8 k; o2 I
B、正确# s5 S( B/ h* K# U% d3 P) J
正确资料:
/ t6 e: _1 [/ B+ w, B' p3 a3 y3 S# c7 v# m. k0 c

; B3 s4 G( r8 ?$ T& `( v第17题,直流斩波器必须要加变压器隔离8 `6 a8 q, q, G; O2 e5 {" n
A、错误
' u) }- i& u% r2 D( U. YB、正确9 {8 ?0 G% X+ v, a# N& Z
正确资料:4 K( D( {4 w) S+ I, H/ z1 C( R( y
& ^0 N5 s; Z9 ?/ l* o# H

$ W1 ~. N& _9 ~3 e+ O+ }; `第18题,降压式直流斩波器输入电流不连续输出电流连续
3 D8 L; e( v- O8 G3 kA、错误
' M, K( \7 F0 Z. J! x7 HB、正确
  i* k* f2 [3 @2 r+ i正确资料:
4 f3 p  d( d" j, i4 ?
4 u8 l1 B$ Z6 q2 b9 a- x  n" A) f
第19题,带续流二极管的晶闸管电路不能组成反并联可逆电路7 l8 x8 E  o% e- P  k2 @
A、错误
* z( p! _) {' R% {0 U6 ^B、正确
( H, Z1 R' {. h( \% n- z& ?正确资料:
  i- r$ w- r( T2 \& Y+ C) o: a; z
: l# x: p# y/ m% y: M* |7 t9 n
& _2 o1 B3 Y1 S& v资料来源:谋学网(www.mouxue.com),单相全波可控整流电路晶闸管的最大导通角为180°- n. c. C$ X# ~- d3 x; y3 C) ?3 q$ z
A、错误
- ?% n5 v% ]& v8 Y# ~5 X' {B、正确
3 q" ?) W' ?5 c7 ?: }( ~正确资料:
% F$ |4 [* b! y, y8 i) m5 K) \5 E/ g$ X& ]4 n& b
- x- m# R& C2 _4 w

% [4 D9 J+ X0 a* S# N5 E3 p- @! U0 Y5 O- z( z8 e/ {; S6 r* x; Z0 b5 K
4 C! N6 b. I- x# Y

, e5 G- o6 ^+ R$ ~  X- z2 M
2 a/ [9 I4 k$ j7 z2 I5 f# A9 h. L* _: c
9 ^, f9 h+ l$ d# x1 t$ D
4 E5 @- M9 d; E, x
) t0 P+ j" |! T
0 @" e, A+ B2 ]9 q  C0 Q( B8 n1 \
0 J3 T$ g: d) i

* [2 R+ X( z# @

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