四川大学《模拟电子技术2389》22秋在线作业1答卷

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《模拟电子技术2389》22秋在线作业1-00001
9 c1 k* U) ~9 S+ ~4 E- P. M试卷总分:100  得分:100
一、单选题 (共 10 道试题,共 50 分)
* H1 I! ?% J; _. t% `1.二极管的主要特性是（）。
A.单向导电特性
) }1 |5 j" h$ L0 D; J5 c$ e2 R( c! xB.恒温特性
C.放大特性
D.恒流特性
资料:
2 v7 ^- w  H: P8 d* [
+ g0 s2 j" n: S. ?( n* `0 _& t' R2.当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（ ）。
A.前者正偏、后者反偏
B.前者反偏、后者也反偏
C.前者正偏、后者也正偏
D.前者反偏、后者正偏
资料:

( z$ K  n8 h1 `- w, s6 w% i1 W& H3.某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接入1kΩ负载电阻后输出电压降为1V。则该放大电路的输出电阻为（ ）。
A.3 kΩ
B.1 kΩ
C.0.25 kΩ
) x8 b+ F$ i: b% nD.不能确定
! t* N! }8 l2 C' o9 g* s资料:
- X9 ~# T! B5 n2 f/ b/ k
4.{图}
9 v% q. Y, P1 P& r. s4 GA.耗尽型PMOS
! R" P: u; D8 a! cB.耗尽型NMOS
/ x4 U) f, s- @3 MC.增强型PMOS
D.P沟道结型管
资料:
9 Z. w  {3 g, r
5.双极型三极管BJT是( )器件。
; I. K) v% R# g' C7 FA.电流控制电流
$ y  ~/ f, W, @& O! |. zB.电流控制电压
8 W, G# n2 w% z- d8 aC.电压控制电压
D.电压控制电流
资料:
6 C! Q" h& K+ k' F( w
6.题面如下图：

) S  n5 Q" p, J{图}
A.A
B.B
C.C
D.D
( G# |% G% v- H- _7 W% K资料:
. q( O7 p9 D; S  s& ?& \' g) }) w" p
7.双极型三极管BJT是（）器件。
A.电流控制电流
$ U9 A: F* f% m. m& H6 gB.电流控制电压
C.电压控制电压
4 A" F% y/ u: G9 N4 @3 L7 eD.电压控制电流
资料:
$ D( }& z& i! h, t$ H
) `1 M" _: g( A* K8.{图}
A.A
B.B
C.C
D.D
资料:

9.{图}
% ?8 c! f  M" e6 p' C! V; nA.A
B.B
2 r$ j: g6 M1 H! D: q# y  E- x' ]C.C
D.D
0 @1 @$ D- B. L2 k* h/ }资料:

  g' e! x$ }% q7 ~3 F10.题面如下图：

* b( I6 U  f2 X7 X{图}
A.A
B.B
C.C
D.D
资料:

二、多选题 (共 6 道试题,共 30 分)
/ ?5 c: E/ U# j( p11.题面如下图：

4 y  J( y$ `3 d; C/ V{图}
A.A
B.B
C.C
D.D
4 E4 B0 I2 f7 {: e: ]/ G5 V% A资料:

) n+ _  z; @/ I3 m* P) n12.题面如下图：{图}
7 I, a; Y3 M0 H2 |8 C+ f1 S% hA.A
5 b: w0 O8 f9 b# ]+ i+ B, K  KB.B
. g3 y" [, M) h- m7 q" q& f0 BC.C
D.D
6 k( _, H+ ?8 Z, M- F# d资料

* u# S' X: v" k, k4 N0 x4 h, ]4 o2 t13.题面如下图：

{图}
* D3 o5 e8 _# m% u) @7 P2 nA.A
! U0 X- [) N+ ?( \B.B
1 E* [0 e6 ?4 H- a6 ]C.C
D.D
资料

% G7 x+ G0 x% v- j14.题面如下图：{图}
A.A
' H0 R7 j- J% |* `3 HB.B
- x" b& @( b/ aC.C
3 p) F4 Z) H+ ?* b( v+ kD.D
5 h, _  Z( `6 A5 g) s+ M6 n资料:
- }$ e2 [) j" G6 [( ^: ]; ^+ b
: K4 @" J, @5 S6 @* d2 w15.题面如下图：

* a* I. O7 C, V( }# N{图}
A.A
' j% r0 H1 G% _# z# B" j3 Z* kB.B
C.C
* Q2 w- y( {1 B6 YD.D
% y8 b2 E  J, f8 E9 G1 \资料:

0 p% X% w' J  u9 }8 t# b" V* V% h16.题面如下图：

# A" D9 w, z. V7 X9 c{图}
A.A
% h" p: E: Z) M/ |6 I+ t+ k, KB.B
C.C
  L9 }3 a, k- m: ]; W3 OD.D
资料
  V2 U- l/ @6 ]  |
! H: w: U0 p, ^3 M三、资料来源：谋学网（www.mouxue.com） (共 10 道试题,共 20 分)
17.非正弦波产生电路的振荡条件与正弦波振荡电路的振荡条件相同。
: N2 P, h: c5 a! I6 r; K# z) a资料:错误
0 C0 I) R: A# E' D5 o" G
0 V1 Q" S1 A* M) S18.题面如下图：
( b: ]" E9 ^  x3 [- R& S" U
3 E; O0 M  O; A/ j9 I" s{图}
; c* o* f  v3 j2 e$ R- K资料:正确
% M6 q- b- b& v2 Z0 G
8 D7 o& M1 ^) t: \19.题面如下图：

{图}
: g/ F( u+ q' s; L! T资料:正确

20.题面如下图：
/ ^/ w, M) O" E- a
{图}
1 ^) Z1 J: C  {/ B, {$ ~; G资料:正确

21.只有直接耦合放大电路中晶体管的参数才随温度而变化。
资料:错误
4 G: C0 D5 k2 G
22.在放大电路中引入负反馈，可使其性能得到改善。
+ w$ I, r0 P7 c- ^资料:正确

23.并联负反馈不适用于理想电压信号源的情况。
4 _5 b$ {2 R8 E$ J资料:正确
% ^( V8 x/ V' V8 `, M
24.只要是共射放大电路，输出电压波形的底部失真都是饱和失真。
' U. W% H; I1 l3 }: U% n( d资料:错误

25.负反馈放大电路的闭环增益可以利用虚短和虚断的概念求出。
资料:正确
9 n$ e: h, B' Y, |. w) l
0 g( o, F) ?; f8 H26.集成放大电路采用直接耦合方式的主要原因之一是不易制作大容量电容。
资料:正确

) l7 d, N7 W8 X/ P
' E( q1 j5 }0 B5 \! [
' A6 f6 _2 S' {( X
! C. e# P; e0 q

. j( S, `& B$ e, x3 ]2 }! u2 p
9 ]6 s8 g4 U2 n  e+ ]; h6 x( U4 F
; V4 Z% L0 R' r* _* ?
% i& u; ?, Y  ]7 i0 J1 n  X
0 T7 O, v$ C& a1 b' @( i
  m& O: f2 Q5 ]+ c! t
/ x# L4 I6 C/ u6 Q8 Q! r

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