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+ M+ T6 W' H \; N一、单选题（共 10 道试题，共 50 分。）V 1. 功率晶体管三个电极分别为( )。
v# t5 T" t6 {3 ?4 Z( LA. ; f' O3 l! _: L6 V, {( p, H; a" s
发射极，基极，集电极；2 p. e- {% \( ^8 E8 f n3 M
. F& t! ?: w; DB.
; I# C4 {; n P& z8 k+ C6 e( g第一基极，发射极，第二基极；
) L1 w. q% @2 @2 g) x0 B* N, z3 _! a+ P- p5 ^4 n4 l
C.
+ m1 _+ M2 j3 N; m. ?源极，栅极，漏极；
7 X1 f8 e8 w: b1 |* l6 ~* h: w4 S& c5 K6 L/ _
D. ! E% C) U: i- K) N
阴极，门极，阳极。
' u2 Q- S: I9 Y0 u, b: w
! A; B }# `9 s% x6 h4 ~ 满分：5 分
9 H4 p9 o- _# [4 |# ]/ u2. 晶闸管的额定电流是以（ ）的形式定义的。* E" f4 ~0 [: J2 P- U
A. 5 d L( C, {2 R$ l% M& T# A
电流峰值, P7 b# D9 n8 b. {+ X
B.
9 s3 v3 Z( l5 x9 J; D电流有效值( A) p: }( F+ B+ w
C.
* z1 t4 s4 _- Q0 Q电流平均值 U: ~& F d# U
D. ' ^6 \8 _% G' @. T) x
电流瞬时值
9 }" u( q1 k& R4 {- L" ^# c# H, ], T# ]& o m0 x p
满分：5 分3 N% [5 h/ S; j6 v2 e* S
3. （ ）是双极型全控电力电子器件。
# Z+ }! d, Y6 A C- G k$ w/ HA.
( ]. L, z( _& B4 ]5 R- R0 dP-MOSFET
" J) q5 @" R6 ?/ e/ S
, }9 H6 D, e# u( aB.
% T: M4 Q4 p+ G# `9 ^& c. m5 }TRIAC
& [' \% u! X1 F. b5 l
" c/ S- p9 Y7 BC.
5 R- f, y' J1 W+ g' LGTR
% e. {0 c; g+ e" @% j1 F+ R* m y2 q* H5 c2 j6 m5 R8 f. O% W3 R
D.
7 B5 Z, M$ M; }, e+ _1 r! T( ?0 P GTO
, ~: E, K& f, i2 I6 K0 P- Y/ ~ E: e- D i# D$ ~4 ?9 F! ]
满分：5 分
$ S/ D) Z. y3 i. f. `. O9 h4. 场效应管三个电极分别为( )。6 _3 R! @' ]* d
A.
8 a1 U, y5 w( X3 O f, b% n; H% L发射极，基极，集电极；
- J9 T0 Z- ^1 W& \# k" x, ~
& e- f: D! {3 w2 R0 P! A l3 cB.
: U2 y' {& h& H 第一基极，发射极，第二基极；
$ X M+ }) }; n7 [
9 `5 L( d( N0 r) z! JC. 8 f1 M) U8 R9 A/ i/ M
源极，栅极，漏极；
. {9 Z4 P$ h+ D) `+ g& X& l. M+ H. c, z
D.
N( F5 C7 L8 v' X4 A阴极，门极，阳极。
# Z# t& n9 c! ?* P4 k( V6 _. D/ B; A- N. _4 R, D7 c
满分：5 分
) N- ~7 E% v8 z6 }, C5. 绝缘栅双极晶体管IGBT三个电极分别为( )。
1 \# O- Q8 _$ F: t, Q1 LA.
6 W2 W z4 F% f2 t3 V发射极，基极，集电极；; E" w& ?( r$ X2 w6 h& ]" b: n- K
; E4 S! V9 K8 I& \2 DB. ' N" ^) d) P7 m V
发射极，栅极，集电极；
) a0 f8 g" _( q9 f, c: X
" G, I2 Z8 C- f, j' Q( c3 s/ nC. & e& b+ p% r! v6 n$ Y" d
源极，栅极，漏极；
5 Z( u- ]0 m4 D2 d" m0 b* L
# p+ U) }4 Q+ P9 P- RD. : ]# Y$ N2 N- H5 D& F
阴极，门极，阳极。
8 _1 y& N" ~ }! ^8 ], v9 t# l5 P0 l( @) ]) i# S `
满分：5 分3 s+ K3 E4 ]3 r: G
6. （ ）是电压控制型电力电子器件。
5 L7 H5 g8 Y3 I$ R9 S- W" m, gA.
1 d9 L+ A: ]8 [/ \) l/ wP-MOSFET、MCT
$ B; M% M& f: s+ A% R. g
! l0 p7 r5 ~) |; [ x6 rB.
0 I' E1 `$ \ w2 M: H. W% OTRIAC、GTR- P. g; u: Q* e2 `* e
* a0 k- y. w# o+ C) W5 y( ? ]C. : Y* ]0 D# P7 r2 [! B- q+ s E
GTO、IGBT
/ S: w# a+ u, s1 g9 n" E6 k0 o9 Z$ f
" o# D: r' S: l* a4 g2 cD. 8 o( {7 ^$ \! a$ q
Power Diode、SITH
6 d5 \7 r. U7 |, v W$ ~5 h7 i w5 t
2 Q$ w$ c" X2 W9 G$ \7 w5 \9 E; H 满分：5 分0 T$ C* a: @- c
7. 全控型电力电子器件有（ ）。& C( l6 c. l9 H, s0 [+ M
A. ! f% H2 T$ a6 A3 `6 w
Power Diode、P-MOSFET、SIT、IGBT
" _( ~! T+ Y( N+ s
; B# v8 A( c1 aB. 3 k w' ~* w% V) [7 l
P-MOSFET、IGBT、GTR、GTO1 B( z' {% K$ P/ i) N( @1 t
7 ~: x9 X" t8 H
C.
" Y6 h @: Z! s1 u2 [: SSITH、MCT、Thyristor、GTO
) z5 R. H |! t' L5 g& b
# q& I" l8 Z, vD.
) d- b$ a% N: |- Z( D: R6 r IGCT、GTO、TRIAC、IPM
8 \5 E- a$ m9 d+ F8 R) L# H! C
& Y: r1 ?" J9 v6 ^2 c% }- n$ D4 O 满分：5 分. P8 T/ o2 R5 ]; m' I* x
8. （ ）是电流控制型电力电子器件。2 t% F% G" Q5 u! i; u
A.
' v4 v6 ~2 s$ z4 S$ R v8 t( h% o GTR、SITH( ^ ^( D4 v+ Q: m
, k8 L% ^; _' Y; Q6 ]* u7 k6 \B.
1 r. x$ y, J/ S* G7 x: ?( B" tTRIAC、GTR
7 r& C' [+ C* c! }& t5 D+ F, e! K! Z* t2 L
C.
: ~4 |; q9 m; N" JP-MOSFET、IGBT" W6 D6 ?) j& q; L" o0 U8 F
; w' U6 e/ m3 eD. 8 b4 Z4 a7 T( a2 C
GTO、MCT5 m; i$ q% } `7 V2 f
5 z9 z" \, ` ]. ]& c. R 满分：5 分9 |* x9 V* W. h5 t3 C; N
9. 晶闸管是（ ）。
9 H) r! k# W+ _7 iA. 四层三端器件! y( S: h7 e# Y4 b/ \
B. 三层四端器件
s7 [$ E- m: a8 d. [C. ( v" ~1 ]5 z# }. b' k8 d
四个PN结的器件
) w+ c/ ] Z. y
5 B* A& @* \3 wD. 电压驱动型器件
4 U; `! C, h4 z9 T! w+ f+ i5 o 满分：5 分6 W0 |; S( \- h N
10. 晶闸管的额定电压是（ ）。
2 H1 {8 s. V* a gA.
# l4 j& k6 B" _! K: o4 z. _ 断态重复峰值电压8 l2 ^5 u+ M l$ e: u
B. , b. ?3 S/ J" F* ?
反向重复峰值电压4 N# O6 w6 e+ L7 v0 b
C. 1 N/ M+ H- B& ^: v: A* n4 N9 q5 `
A和B中较大者7 u4 F, n! d9 d
D.
G4 L6 G& L' B5 ]. t6 J" r A和B中较小者+ ]5 Q8 x. c! C" f/ f. A/ S
满分：5 分
" N3 M7 U# r$ Z+ z0 u: ^# H& x% i0 ~6 [2 [7 ?
二、判断题（共 10 道试题，共 50 分。）V 1. GTR存在擎住效应。
% `4 w" U, q p9 V) |/ f6 S6 `. c5 FA. 错误. X; k4 V2 H: N
B. 正确
( N5 s) Z6 `5 I& [ 满分：5 分
5 d# q7 R8 G# R, r2. 晶闸管刚从断态进入通态，当撤掉触发信号后，能维持继续导通所需的最小主电流，叫做维持电流。
" C2 N) s+ o, O# D" d4 F/ ~- }A. 错误; W) }1 V3 m v
B. 正确
( t8 }% e m. I. u5 C$ } 满分：5 分6 U, d$ T% f$ e
3. 晶闸管刚从断态进入通态，当撤掉触发信号后，能维持继续导通所需的最小主电流，叫做擎住电流。0 W$ Z9 A, v2 b4 u' S
A. 错误
- }& D5 g9 y" D2 \- v9 f% yB. 正确8 M! k5 ^, Z. i
满分：5 分& y5 ?) m7 q- h& n/ K
4. 晶闸管的维持电流通常小于擎住电流IH<IL。
# G- P1 c" S5 D7 X& e$ YA. 错误" `4 M% U$ |) P+ u
B. 正确1 [4 f. b: b' v: E
满分：5 分
- Z, o9 T( A8 O+ U% a3 O `5. 晶闸管的额定电压是断态不重复峰值电压UDRM。
% b/ K/ y$ W3 S# S* m- \( lA. 错误
1 t8 j q/ ?" y- qB. 正确" m, o2 r' b" Y- u# r# v2 @" C& C
满分：5 分
}. r% X- `1 m t6. 普通型晶闸管是四层三端元件。
' S9 f& N0 Y) Y- t* b4 g, H1 yA. 错误
& m- a' M; L1 B$ C' JB. 正确5 \7 f8 p4 M& l$ b: J
满分：5 分: X0 @. O) F" J& |
7. 晶闸管的导通条件是阳极电位高于阴极电位，且控制极有满足要求的触发脉冲。9 f9 b9 N3 u+ j* {) \! k6 x
A. 错误! s' b3 B3 s, o9 P: {" l m; ]
B. 正确
4 T T/ b& q: w7 p2 D 满分：5 分
! b4 A& w* W/ ]3 T4 V5 U8. IGBT存在擎住效应。( {! T- Z2 b- {7 @& d7 ?
A. 错误
' C( Z, a9 y m$ r$ G6 D/ aB. 正确
, g9 Z* s ]3 ^ 满分：5 分9 }$ ]" `! y) C2 o0 S$ e& }
9. P-MOSFET存在二次击穿现象。
, J0 D- `' j: @3 L( d" Z6 @; v$ aA. 错误
5 i" {2 [* Y8 e W, J) R' gB. 正确
* ?1 Q0 l, h5 n! b4 w+ y 满分：5 分
F6 O" m+ i2 p1 x0 d10. 普通型晶闸管是三层三端元件。/ y+ n, D1 ]2 b
A. 错误' L! ]) S; I) {; F ]0 K0 P3 Z% ?
B. 正确
r) C6 o9 x3 j- d 满分：5 分 3 _1 O6 \+ m. T9 I2 v. n1 O
) m5 [( {* Z4 Q2 b
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发表于 2012-4-2 10:22:41
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