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一、单选题（共 10 道试题，共 30 分。）V 1. 空穴为多子的半导体称为()# s6 d j3 b z8 K1 h& U+ j
A. P型半导体$ ^( m1 i$ `6 ^6 @
B. N型半导体
/ G3 [+ \" x( h: U2 R2 i1 VC. 纯净半导体
( [1 ?# H& z7 P0 KD. 金属导体" X+ F5 a* a) H9 ^- I
满分：3 分
1 h9 F# P( K$ i2. 放大器的输入电阻高，表明其放大微弱信号能力（）
e! q6 }9 l" o& oA. 强! E& _& D8 E. v& a7 a6 ]: V" H
B. 弱8 @$ b* u) Z5 X( Y' m
C. 一般" g8 \. g2 s4 `/ P
满分：3 分( N: E0 l) ]) {3 P) T( V1 q4 {
3. N极输出器的主要特点是()
& d2 w* | |5 j/ `* H- b4 I. PA. 电压放大倍数大于l，输入阻抗高，输出阻抗低
4 }& [0 h9 |, Q$ D2 H# FB. 电比放大倍数大于1，输入阻抗低，输出阻抗高( a; u1 K4 g( G2 d
C. 电压放大倍数小1，输入阻抗低，输出阻抗高# Z2 ]( }( g, H9 n% K @
D. 电压放大倍数小1，输入阻抗高，输出阻抗低
4 U [9 Z6 ~4 | F+ ^; U7 J. H 满分：3 分
2 ?0 o9 O2 l3 F- u4 o7 n1 N4 x4. 通用型集成运放适用于放大（）
4 ]9 r& }& s/ o6 D Z* N- YA. 高频信号
: X; J5 h% ^5 w' E( |, XB. 低频信号3 g. w, H8 Q, d- D9 x8 d5 J
C. 任何频率信号9 Q& m3 `( I# x, } g
满分：3 分
) V0 i! x( Y( ~5 o5 z; J' b5. 空穴为少子的半导体称为()。2 k- A) X- |9 P! `" Z
A. P型半导体
$ H, D0 n! n% H7 q/ [& ]B. N型半导体* R! G$ ^- W7 K% V# S
C. 纯净半导体
6 d: O5 O! ?7 E( ~D. 金属导体
' v1 E) r# h0 D+ q; t/ S 满分：3 分* j2 }6 f$ K: A: A/ j9 P: x+ U0 L
6. 三极管的反向电流ICBO是由（）组成的
8 y; p/ F8 G5 z9 U$ |A. 多数载流子
2 p/ X+ a, p3 TB. 少数载流子
8 S$ |8 ~& F# ^ lC. 多数载流子和少数载流子
1 Z2 `5 Q9 a9 X5 s" w! _$ h 满分：3 分
) ~; Q e0 V- O' [7 Z n+ \7. 由NPN管组成的基本共射电路，输入正弦信号，输出电压出现上削顶（顶部削平）失真，这种失真是 。（）7 I/ ]6 M$ ]2 |; o C7 b- R0 R5 ]
A. 饱和失真
7 w2 s9 F) K* g- Z6 B/ YB. 截止失真
; i' A2 B) x0 d; @- o" I" vC. 频率失真
( i- Z4 U7 b7 e5 lD. 放大失真
1 S: ^& H b& u: k 满分：3 分
4 W/ h% j' O$ Q8. 直接耦合放大器的低频特性比阻容耦合放大器的（）。- F5 o) P8 k% L; m3 H8 v
A. 好: n1 d. s9 F) {- \8 s6 Y& d
B. 差
: D* N- w6 h6 C) h; w( qC. 相同
$ A9 J: Z8 e, _! B0 z 满分：3 分
+ U& O3 S+ k: [0 }9. 多级负反馈放大电路容易引起自激振荡的原因是（）。- D1 f7 Y6 F! T( I
A. 各级电路的参数很分散
. U0 n/ E) |; e0 z& aB. 回路增益|AF|大
! z! I$ G' @6 s* CC. 闭环增益大
# V# b6 X4 T v; l i7 vD. 放大器的级数少6 S/ m Y! s: }( I$ P. E
满分：3 分& e: X; I1 {: U B$ F
10. 二极管两端电压大于()电压时，二极管才导通
* t$ e$ g- I" C* K5 D- yA. 击穿电压5 ?' Z7 O# t! w, d, E
B. 死区
8 a6 B3 Q6 e; {C. 饱和
. c+ T, ~7 l" M) ?0 h& n# Q 满分：3 分 ; N& W" e6 E5 I* L* V4 B/ h4 q# T3 u
1 e- h7 k6 t/ ]( A; |$ p- n0 f7 d二、多选题（共 10 道试题，共 30 分。）V 1. 使直接耦合放大电路产生零点漂移的原因主要是（）和元件的 （）' k6 E1 v e2 ?2 Q. F+ U' o
A. 温度' X) x, s/ r" p5 r/ ~' M% _3 S
B. 湿度" F+ E& n3 |* V% ]% e% u+ y6 \: O
C. 老化1 p( w/ r3 R2 U- l# j9 G& l/ [. Z- x2 m
D. 风化
& P( B% N4 T, T6 _ 满分：3 分
! c) ?! X. y, s1 ^7 d2. 理想集成运算放大器的放大倍数（），输入电阻（），输出电阻（）
9 |& B$ L2 X$ JA. 无穷大& v" {" y6 a; H8 d& n9 D p
B. 零
3 `3 z' c" q# UC. 1000$ Y: x' { o+ g3 k9 u9 |8 x
满分：3 分# _& c# J! D6 E
3. 功放电路中的功放管要输出大的电压和大的电流，往往处于尽限工作状态，所以要注意它们的（）和（）。6 ]. h1 X* x2 R, i% F
A. 保护
# C" `% z9 \0 R9 VB. 散热3 @" b* ~* D) j0 Q2 a
C. 降温
) O5 W. N8 W- W# e4 |1 f5 S0 l3 A2 U 满分：3 分
% V( a( _. W1 J! q. Y, ^4. 电容三点式正弦波振荡电路的主要优点是（），主要缺点是（）
+ c- v7 Q7 f; h% R% e8 f i0 ~A. 波形失真小
@% y" C7 p E! _B. 波形没有变化) o% |$ d6 v6 ^. Y. O8 _% E& \. L) _, ^
C. 连续改变振荡频率困难: }6 J9 {4 O6 l! ?- p. r
D. 连续改变振荡幅度困难- D+ M0 J: I" B V
满分：3 分
( M2 C& {: L; O& z5 z- s5. 三极管工作在放大区时，发射结为（）偏置，集电结为（）偏置；8 t8 K1 | Q* p2 p2 Z4 j5 S
A. 正向
P9 D- m6 ~- l. I) a) t3 o, d9 W7 {7 pB. 反向
4 g* M; v' k$ J9 y 满分：3 分
% l6 z; a; V1 ~* L2 z5 }. ?6 p6. 甲类放大电路是指放大管的导通角为()；乙类放大电路则其放大管的导通角为()；在甲乙类放大电路中，放大管的导通角为 ()
3 K4 F- U6 j. d' D& |A. 360°0 x/ a- @8 H, Q7 [/ [' h# K. H
B. 180°
0 r2 [+ m2 l1 y+ eC. 90°
% z) F, D" l5 L' wD. 大于180°小于360°
5 |4 N" r+ _* Q$ E$ T+ } 满分：3 分) ?- u' F( [# M; l
7. 放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是()，而低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是()6 ~' K1 \! B" N- ~9 w' \. f' j
A. 耦合电容和旁路电容的存在7 q" U7 Q* ?5 v2 m2 V( ]' f* z
B. 半导体管极间电容和分布电容的存在* X5 C4 E+ h5 X x+ b) R; F
C. 半导体管的非线性特性
% x' o M5 m* p5 {5 XD. 放大电路的静态工作点不合适+ V+ R8 w5 o. I+ y6 d& x, O
满分：3 分) b0 G( w. W! `! l4 k5 L' E# ?
8. 单相桥式整流电路中，若输入电压U2=30V，则输出电压Uo（）V；若负载电阻RL=100欧，整流二极管ID(AV)（） A
. i4 v* k# A6 s1 G) cA. 27
7 i+ n: G# b9 C0 J3 }& mB. 30" c' n# B& }$ h8 t+ f
C. 0.135
. I' H- F, d8 s; Y! g: bD. 0.210
3 ? k. _" I9 h2 ^$ y& H+ z4 ?$ ~ 满分：3 分
9 M# d: X, e* {9. 稳压二极管稳压时，其工作在()，发光二极管发光时，其工作在()
: w! T6 f5 h" J/ Y# b- I: zA. 正向导通区
2 h# N( @7 F4 [$ J' u) q$ ]- {% oB. 反向截止区( V+ G& F0 T% C" d
C. 反向击穿区% `, g( Q1 O% F6 T# d- e
满分：3 分 o; \9 H8 G! O' g: @& l% G
10. 在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于（）；当杂质浓度一定时，少数载流子的浓度与（）有关。( |) o/ p( ?3 t' _- I* N
A. 掺杂种类
. v. T D4 `0 _B. 掺杂浓度* R6 F! @: x5 N. \0 i* n2 G$ t- Y
C. 温度
" K& e$ S# Z4 s1 V. a# Q/ ?D. 电压! L+ [, C* t6 m& h
满分：3 分
( W1 e9 S+ f# U" K8 ?+ ]6 X/ B
c2 Y6 v- d9 ^" Y7 V三、判断题（共 20 道试题，共 40 分。）V 1. 互补对称是指两个极性相反的晶体管组成结构对称、参数一致的电路，由于两个管子交替工作、相互补充，使电路工作性能对称。
4 n4 @+ V" x( E+ w U" x0 XA. 错误4 `( q/ d$ `# n! X8 n! m+ A/ o
B. 正确
m' d* U6 U% k- s5 P1 j1 I5 E 满分：2 分* q8 [* e) u- J: G. s# Y+ |3 D
2. 与甲类功率放大方式相比，OCL互补对称功放的主要优点是无交越失真% k1 `. v3 [) {4 w* ~% K$ p& {
A. 错误
& ~/ }7 K5 }6 Q3 U' uB. 正确
' C; m `6 {" B$ x5 h( f4 o0 Z* x 满分：2 分
0 h1 x7 {) F( S: x6 o/ R4 Z% e3. P型半导体是在本征半导体中掺入五价元素获得的
! J7 e/ a o! P3 B' |' @' C" yA. 错误( u p% h# p" d# ]5 [/ i6 [: }
B. 正确8 d" S' c9 Y6 g- V( @+ z# N. w0 {
满分：2 分
4 {6 v! U b! q( j* p' n* p4. 集成放大电路采用直接耦合方式的原因是便于使用$ d0 E$ D6 B* N9 U& d+ Z
A. 错误: w4 Y8 e% K: a* l6 P- q
B. 正确! N) |) W1 ^6 i9 p9 l! Q
满分：2 分+ b+ {% w, W+ m. z
5. UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有结型管
( M/ K; Z# m- _7 Q1 NA. 错误3 o, E% V7 F1 h
B. 正确- I0 b+ r) p) L. z, ~; C E* @
满分：2 分
/ d# T' M# \, \- R+ B; g9 E y6. 只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真
+ L1 f8 q3 z2 \* P3 Z: I' FA. 错误2 h# m5 B3 ^7 l' g; `9 [
B. 正确
* b4 y. e% d2 }7 L; c" } 满分：2 分; c0 W& e0 O) j e
7. 对于单管共射放大电路，当f ＝ fL时， 与 相位关系是－135度
6 W+ j! o3 ?( D7 [ k) Z+ tA. 错误9 j2 Q* e& F5 M. q
B. 正确' d- i8 K) V6 F7 b4 m
满分：2 分
5 I) G+ I& l+ [; R- B, V8. 负反馈只能改善反馈环路中的放大器性能，对反馈环路之外无效
( r$ b( W: ?/ |3 Q+ h# s, ~* YA. 错误 k* p* ~2 U( L' P$ a! R l
B. 正确
5 g1 ^3 a+ _9 D 满分：2 分" R. @9 H8 a1 G( t4 X I
9. 阻容耦合放大电路的耦合电容、旁路电容越多，引入负反馈后，越容易产生低频振荡
' e; e O- f" r% r- O5 rA. 错误 y( T+ U+ H' b- I" F4 Y
B. 正确
( Q/ J; d7 Z" D6 R 满分：2 分
8 ~" t8 @( \; i% P0 k+ m* a10. 耗尽型场效应管是指一种金属-氧化物-半导体场效应晶体管，在其栅压为零并且漏极电压一定时，就有较大的漏极电流，即存在导电沟道。随外加栅压的反向增加，漏极电流逐渐减小。这种导电沟道从有到无的性质称为耗尽。
' ^+ X i0 |7 B+ p; ], J& EA. 错误 T2 T' k$ N9 k: Q% f; C: z; V
B. 正确# ? w& z! g/ h. C! _6 t5 a L
满分：2 分3 @6 m6 V( Z. t' ]7 `# ]
11. 只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用
* O" ~- u. f8 L2 c4 {A. 错误
# g4 \0 c( ]% W* R1 F+ Y9 W! b$ Q8 sB. 正确. h* f$ f) d+ _: e
满分：2 分
0 V* _3 I$ ^ I, d' o12. 结型场效应晶体管通常采用两种偏置方式，即自偏压式和栅极分压式* n0 j5 w* v) J6 z9 M. W
A. 错误# n- m; t7 c% l0 A
B. 正确
; \( i- m4 R5 D% a( Q8 K 满分：2 分! O+ \4 n" S+ q- ~
13. 有源负载可以增大放大电路的输出电流% Z0 Q" M! W) ]% X2 E9 L) V
A. 错误. x9 D( ~: _- c: Z! z% n7 \
B. 正确
+ g" Z, |- z2 {0 s4 r 满分：2 分
9 K* h. c5 c/ L2 i14. 运放的输入失调电流IIO是两端电流之差
# l5 K w# G$ m* ]A. 错误* d& e5 O z4 Y4 J: c- h) o; s$ v! |- Z
B. 正确4 j! q# a2 \ H# B5 V* w
满分：2 分
8 n8 g3 Y; [. h$ n; p15. 由于PN结交界面两边存在电位差，所以，当把PN结两端短路时就有电流流过
; m3 A5 O) i, M2 O4 o. k, Z5 S" rA. 错误1 w$ E! J5 h$ b# q" g
B. 正确 t" Y- Z0 {$ n
满分：2 分 x3 U4 C2 A5 j" g* k
16. 通用型集成运放适用于放大任何频率信号
, `2 a, r% ~) y9 L, G" [# J3 i) vA. 错误
& D. ?8 p" K# |0 T* D5 @B. 正确" p+ ]0 [' D9 P, O
满分：2 分. |, F% x. Y5 Q+ Z- _( J
17. 在达到动态平衡的PN结内，漂移运动和扩散运动都不再进行。
* N8 z- t9 r% W NA. 错误
$ M; @+ q' }+ h9 EB. 正确
5 S7 e' e8 w s" {) \, Q6 | 满分：2 分+ }- C2 a2 g- ~8 N3 o" V
18. 集成运放电路采用直接耦合方式是因为可获得很大的放大倍数6 I0 L# ~ A/ o
A. 错误
7 e) D/ t5 G2 \9 A/ gB. 正确
2 T; } I9 S" S3 D" c& o3 e 满分：2 分( C7 X% H* H0 D& c( K, Q& U
19. 放大器不带负载时的增益比带负载时的增益小。
( i& e/ T# ?0 z/ [A. 错误! J, c5 \3 U+ w& r# A
B. 正确
# ?' L0 j7 \4 h7 T9 q/ w 满分：2 分
5 i8 p+ K5 @' m" [; u* f20. 结型场效应晶体管都是耗尽型，而MOS场效应晶体管都是增强型。% f% @: } f5 o( \3 g) a, d* z
A. 错误
7 ]( X) V$ F: N% r: D# T. lB. 正确5 i/ I% F: W( v
满分：2 分 * b( s) }" @8 R# @ P& H+ e2 x7 O
* S% z9 R. Y, ]% ~1 p( g |
|
IP卡
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发表于 2012-5-24 18:06:27
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沉默卡
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显身卡
客服一
