东师《模拟电子技术（高起专）》14秋在线作业1（随机）辅导资料

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3 w( P8 i9 A2 V2 G" T( j
一、单选题（共 10 道试题，共 30 分。）V 1.  集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以（）
A. 减小温漂
B. 增大放大倍数
& ?" \2 w) O- T) g: J5 u5 |- @C. 提高输入电阻
      满分：3  分
2.  欲得到电流－电压转换电路，应在放大电路中引入（）
8 R5 C0 l2 x0 w, p8 q/ eA. 电压串联负反馈
- X, Z7 n& r" p  O* Q" z" |B. 电压并联负反馈
" q6 y0 ]$ ^9 L" @/ EC. 电流串联负反馈
D. 电流并联负反馈
: P5 A; f2 N$ e. h* R$ c8 f      满分：3  分
5 h" K! L, _9 R1 F( ~# E! y/ b3.  场效应管是()控制型器件
' U+ a4 T3 L0 MA. 电场控制电流
B. 电场控制电压
  }- w5 B8 i! {5 HC. 电压控制电场
D. 电流控制电场
      满分：3  分
4.  稳压二极管构成的稳压电路，其接法是 （）
: W# r; W) [$ P+ ^A. 稳压管与负载电阻串联
B. 稳压管与负载电阻并联
C. 限流电阻与稳压管串联后，负载电阻再与稳压管串联
$ \/ C+ I( p: j  R4 y; O2 DD. 限流电阻与稳压管串联后，负载电阻再与稳压管并联
% \8 O5 ]) M, S' {# D, T      满分：3  分
$ k& v# C* C4 X% P+ y8 I, G+ Z5.  用一只稳压二极管和一只普通二极管串联，可得到的稳压值有（）
A. 两种
2 H  Z' T5 L2 I" D* v; j- KB. 三种
C. 四种
D. 五种
) p; L) N5 P+ T* \+ Q1 x% v$ x% y      满分：3  分
6.  放大器的输入电阻高，表明其放大微弱信号能力（）
A. 强
B. 弱
6 k, ^& H; J+ V  UC. 一般
      满分：3  分
8 a0 A- V( `$ D# d3 Y/ X! q% B7.  晶体管在大电流工作时，随Ic的增加β值将（）
$ T9 u$ y/ B7 B0 v# i. mA. 增加
$ j5 x. j$ J! I( y  Y. H5 }- KB. 下降
7 t  e3 {0 [0 D3 F8 i) O3 S8 M  YC. 不变
% I+ x/ d& b# M9 J% {      满分：3  分
1 z- l% ?4 g" v0 w" ]! T8.  欲从信号源获得更大的电流，并稳定输出电流，应在放大电路中引入
8 [! Q  i. Q' {2 a1 @A. 电压串联负反馈
B. 电压并联负反馈
C. 电流串联负反馈
! |6 F% ?1 }7 p& L& u( G: @D. 电流并联负反馈
' u7 {$ T/ K5 B/ l* @+ ^' H      满分：3  分
9.  如果在NPN型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结也为正向偏置，则此管的工作状态为()
( C* g: u* h6 p/ k$ J; b# oA. 放大状态
. i8 a' R; L2 _% w7 c% O5 O' @B. 截止状态
$ X6 I+ w. J" p; g. rC. 饱和状态
D. 不能确定
% [7 ?6 T4 }1 }, f/ h      满分：3  分
% I: }6 `% l4 G10.  当温度升高时，二极管的反向饱和电流()
7 t/ B# i) t1 T1 {8 t8 gA. 增大
B. 减小
C. 不变
/ G7 |0 P+ v% u( n4 ?8 h2 HD. 无法判定
      满分：3  分
: L$ o2 {& T5 q  f
: v5 d0 W+ f0 ?/ E& k* z* J二、多选题（共 10 道试题，共 30 分。）V 1.  在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（），而少数载流子的浓度则与（）有很大关系
A. 温度
- x, V; d) w5 Y$ D, O" xB. 掺杂工艺
C. 杂质浓度
4 g/ Q. j- @# d2 ZD. 晶体缺陷
7 O3 ?! W( i: s: ]. U+ A  q) \4 E      满分：3  分
2.  当PN结外加正向电压时，扩散电流（）漂移电流，耗尽层（）。当PN结外加反向电压时，扩散电流（）漂移电流，耗尽层（ ）。
A. 大于
B. 小于
C. 等于
D. 变宽
E. 变窄
F. 不变
      满分：3  分
3.  放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是()，而低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是()
5 f/ z2 X* r% q: H; S# yA. 耦合电容和旁路电容的存在
B. 半导体管极间电容和分布电容的存在
C. 半导体管的非线性特性
: b1 f8 F+ P, [1 K1 Y3 KD. 放大电路的静态工作点不合适
      满分：3  分
+ d9 ~+ ]2 i( D, q6 B" D. h1 n# d4.  集成运算放大器是一种采用（）耦合方式的放大电路，因此低频性能（） ，最常见的问题是（） 。
) Q5 C4 v7 s6 |2 x4 K$ M( |A. 直接
+ y, I# q( w' EB. 好
$ Z$ A: d( ^$ v. mC. 温漂
D. 低
( ?8 `: {% h4 ?9 n$ z; [% }      满分：3  分
5.  PN结的电容效应用()电容和()电容等效
A. 传输
# x% W6 y( `3 \% @6 ~+ [B. 势垒
3 V5 w: V* Y7 q# s. }- W' ?C. 扩散
- H1 h* V* @  W  s& \! ]1 ~      满分：3  分
6.  共基极放大电路的高频特性比共射极电路（），fa=（）fβ
A. 好
! {# G6 {. I$ F) PB. 坏
C. 1+β
; Y/ c  C0 T5 x  VD. 1-β
      满分：3  分
7.  无反馈的多级放大器共用一个直流电源供电时也会产生振荡，这是因为直流电源的（）过大引起的；而负反馈放大器的自激振荡是因为反馈环内（）引起的
# p  _9 f# w* S: V& TA. 外阻
: K% n4 b8 ?8 n$ ^7 Q) TB. 内阻
C. 附加相移
8 b- o6 ]3 e) s1 oD. 自身相移
5 E5 V' S8 {' h& f) P. J4 j      满分：3  分
8.  当信号频率等于放大电路的fL 或fH时，放大倍数的值约下降到中频时的() 即增益下降() 。
A. 0.5倍
B. 0.7倍
C. 0.9倍
D. 3dB
E. 4dB
; N7 g2 p) q# J2 A9 X- w8 F  l4 LF. 5dB
( \" [2 O; g: J9 ~      满分：3  分
% G6 P% V% |/ ?; `5 i* h3 Y9.  运放组成的方波-三角波发生器由（）和（） 两个单元电路组成
) C4 |2 s1 v8 s; [# \A. 迟滞比较器
B. 加法器
" b  J8 k; X1 q, m! W' wC. 积分器
D. 差分放大电路
! X! Q+ q- J# G2 ]# o      满分：3  分
10.  模拟集成电路大多数采用直接耦合是因为()，集成电路制造工艺使它制造出来的晶体管、电阻等元器件参数误差大，但误差的()好。
: F0 \" ]5 @3 U; I4 \A. 不易制作大电容量的电容
B. 一致性
C. 规范性
      满分：3  分
# G  Y: e% b- U/ x. _+ U
三、判断题（共 20 道试题，共 40 分。）V 1.  负反馈只能改善反馈环路中的放大器性能，对反馈环路之外无效。
3 \; y1 F# g7 I: tA. 错误
+ ]9 ^% `/ t) d4 aB. 正确
1 {! k! Q/ d/ ]( X! _      满分：2  分
/ V) E0 A. s3 @2.  直接耦合多级放大电路各级的Q点相互影响
! e9 [7 F/ |& h$ o% IA. 错误
) c# G; D& {( NB. 正确
$ `4 V7 b# o1 T4 a- A1 `      满分：2  分
3.  增强型场效应管是指一种金属-氧化物-半导体场效应晶体管，在其栅压为零时漏极电流为零，即没有导电沟道。依靠外加栅压的正向增加，形成感生沟道，使漏极电流逐渐增加。这种导电沟道从无到有的过程称为增强
A. 错误
9 q' N0 D+ b+ ]' {! tB. 正确
      满分：2  分
4.  当输入信号频率f = 5～40kHz时，单级放大电路的电压放大倍数均为100，而当f = 500kHz时，电压放大倍数降为10，该电路的上限频率fH为 50kHz
' r+ g, P6 K0 D. tA. 错误
B. 正确
      满分：2  分
/ u. c5 R6 ]8 ]# \  d5.  当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导增大
" p5 Q! z4 {1 y+ t) l9 Z( _A. 错误
8 N8 z6 s3 A: f$ ~1 n3 qB. 正确
      满分：2  分
! W$ k' V* x' O# W8 h  R9 }, I6.  欲实现Au＝－100的放大电路，应选用微分运算电路
" r/ p/ D6 ~- aA. 错误
; i. p/ N; @6 fB. 正确
; s. T( l& m# N% [3 w: A2 E5 Q      满分：2  分
7.  稳压管的稳压区是其工作在反向截止
A. 错误
B. 正确
+ f! `3 O/ \* k  i      满分：2  分
; M# t. x7 W( l$ k- L9 a3 }' D0 d8.  集成放大电路采用直接耦合方式的原因是便于使用
; k$ e5 D( e  q" pA. 错误
! D8 a$ H  ]6 @B. 正确
      满分：2  分
; n7 U+ r( Z% d2 ?9.  结型场效应晶体管都是耗尽型，而MOS场效应晶体管都是增强型。
. F4 E# m  g# D5 t; j8 eA. 错误
! r) I7 }5 ]# A9 c+ X6 j5 E0 U% J/ KB. 正确
      满分：2  分
10.  阻容耦合放大电路的下限频率受耦合电容和旁路电容影响，其中耦合电容的影响更大些
A. 错误
B. 正确
( O: N0 [- u7 T2 T( Y, G/ E      满分：2  分
11.  结型场效应晶体管通常采用两种偏置方式，即自偏压式和栅极分压式
2 u3 L" u+ P% J! _  [2 C% ]4 wA. 错误
B. 正确
. p2 ~5 Z9 P/ I1 s6 V$ Y* Y- l      满分：2  分
12.  选用差分放大电路的原因是电源电压不稳定
" @% l4 M9 T" V8 ZA. 错误
! y" j: ~, v, {B. 正确
! J* o; ?( s- b( T& k* ]0 c      满分：2  分
13.  当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为前者反偏、后者也反偏
/ L2 f3 V2 p" V. H. hA. 错误
4 y. k" e0 g9 {. M" f' gB. 正确
8 |9 e/ c# n1 ^6 b      满分：2  分
& O7 a2 Y5 t4 I4 T) W14.  当PN结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流
A. 错误
/ d" C) E2 e8 S& f" V3 RB. 正确
      满分：2  分
15.  直接耦合多级放大电路只能放大直流信号
& c$ x# x$ o) ?: C: q" t* }A. 错误
B. 正确
, H# m& {$ C/ v8 A      满分：2  分
8 A! t/ ~1 Y, m16.  现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为－100，将它们连成两级放大电路，其电压放大倍数应为10000
. N' w' U8 s' J& QA. 错误
B. 正确
5 F7 i" B# A; }& g5 r3 k      满分：2  分
/ H( P# N7 r! o$ _" z17.  在输入信号作用时，偏置电路改变了各放大管的动态电流
A. 错误
. S. n. Y5 K$ AB. 正确
. r9 r# q1 D8 J/ t% N% N; E      满分：2  分
3 c3 H, g7 M2 R' M18.  具有相同参数的相同放大电路的两级放大器，在组成它的各个单级放大器的截止频率处，总的电压放大倍数下降6dB
  l& K( m+ g2 ]/ _' WA. 错误
) }/ n3 C. m$ w4 i8 J+ Y& Y4 _: ^* GB. 正确
! l3 m: b0 U& I* a      满分：2  分
19.  某电路有用信号频率为2kHz， 可选用带阻滤波器
% y6 R: H8 R+ N6 @A. 错误
B. 正确
      满分：2  分
& w; y; Q% n9 g( k7 ~+ d; d# U20.  差动放大电路是为了克服温度漂移而设置的
A. 错误
: g) Y' L% \8 w7 u* {  e2 BB. 正确
3 L( ]2 C) M: J9 `      满分：2  分
7 Q; U- H. `& g; l! N
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