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17秋【西南大学】[1075]《电力电子技术》在线作业(参考资料)

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发表于 2017-11-26 16:42:05 | 显示全部楼层 |阅读模式
谋学网
【西南大学】[1075]《电力电子技术》: Z" O1 A. B0 d* R8 f6 a
试卷总分:100    得分:100' p: G" `# d4 C, r) L. C
第1,【单项选择题】从晶闸管开始承受正向电压的到晶闸管导通时刻的电度角称为( )。0 X# _- G0 k+ K# F! o+ X4 m
A.控制角/ ?( e/ `% H; \: a- F
B.延迟角
6 J$ ]& \/ N0 j4 e9 [C.滞后角
/ P' N" l$ y! f: bD.重叠角
: g% h5 C# ]8 L( h正确资料:6 G3 o$ z2 @: {4 W5 p
% i* O7 t3 M9 k. i4 d

6 m1 L( M6 N6 A# A2 x7 n第2题,【单项选择题】当晶闸管承受反向阳极电压时,不论门极加何种极性触发电压,管子都将工作在(   )$ a. w; m; M# S  p" X' N4 y
A.导通状态
( A9 k: e2 ]: [0 [2 fB.关断状态
# _+ q' v- m" VC.饱和状态
- l3 w( s5 X4 E6 r8 [D.不定3 L* [" j2 p9 x0 T! [* a% o
正确资料:
6 K, x3 W  Q% d$ i
% a0 ]9 s% K" }8 T! n* i* V# g5 O" R* z8 ]
第3题,【单项选择题】如某晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V,反向重复峰值电压为825V,则该晶闸管的额定电压应为                       。: S2 o* g& k# i- a; B' g
A.700V% }& B0 C$ p2 U2 q
B.750V& [* I4 T' E* |2 |2 {, v
C.800V
/ Z9 F) P. e) P4 PD.850V
8 R- U# k) l8 S) U! R正确资料:
4 G5 H7 B% X- ^2 [# t9 U/ C
8 V2 r( X) c4 @. i0 t7 e' W* _6 M! F2 _3 N* N( G
第4题,【单项选择题】快速熔断器可以用于过电流保护的电力电子器件是       。4 K* A4 M! T8 j4 ]& ~
A.功率晶体管0 N1 k8 K4 a% F2 d
B.IGBT
/ O7 z% D" x' m2 t; NC.功率MOSFET
2 {9 `  Q8 j" Y' [, R6 u1 N9 p& _( AD.晶闸管
+ @6 N6 t* l- ~正确资料:
8 P! W: c& ^7 D$ r$ h+ A
8 I6 h. v# r3 C  \3 h8 [
' ^$ a) r5 @3 A第5题,【单项选择题】三相半波可控整流电路的自然换相点是    。
6 w" o4 Y8 Q6 s' V2 f( c5 OA.交流相电压的过零点
2 x0 H2 @- J" p4 t' FB.本相相电压与相邻相电压正、负半周的交点处
7 }" w+ G- }9 t  Z# r- SC.比三相不控整流电路的自然换相点超前30°
: P$ L% }- q2 d* }8 oD.比三相不控整流电路的自然换相点滞后60°  X) Y+ H" i8 F3 Y/ h8 v
正确资料:+ W7 M/ R" O0 }. b! z* Q
3 |; u$ E, s6 D
& e) @6 l$ q. N" p& P6 ~
第6题,【单项选择题】在一般可逆电路中,最小逆变角βmin选在下面那一种范围合理       。
6 [( W+ |" g' d' z' F$ {) X5 RA.30o-35o- q' s# @/ x% W5 \7 p0 q! {* Q
B.0o-15o( f0 C6 I1 [; Q
C.0o-10o
; i! g3 I* A- O1 G1 w" ]D.0o8 V+ f8 ^3 U! w  r( b4 a, C& B" x1 T
正确资料:) m# X& c8 L/ g' a
2 t2 a) d/ x/ x3 I

7 X$ H; \; {( m) E第7题,【单项选择题】可实现有源逆变的电路为               。* V9 _8 F8 j7 ^* P7 j9 S
A.三相半波可控整流电路
7 n( a* ]+ C2 h8 ?4 E8 jB.三相半控桥整流桥电路0 b- A, C9 y5 W0 z. F3 ^
C.单相全控桥接续流二极管电路
  X( k0 l( y2 J- n3 t5 w4 |6 GD.单相半控桥整流电路
9 r1 U' j) T7 j正确资料:/ b0 p+ e5 x5 z& @
& m  I  V) I9 l0 ^! `+ N$ }

' `) x4 Y! `# J- Y. f第8题,【单项选择题】晶闸管触发电路中,若改变    的大小,则输出脉冲产生相位移动,达到移相控制的目的。2 o1 q! A4 ?7 e$ [% k( ?) V
A.控制电压$ b: B3 o9 G" Y$ e4 U  s( P
B.脉冲变压器变比" G5 h2 m4 W5 x$ {! w4 V
C.控制电流. `3 D+ z3 P4 N- c" I' F* Y' z+ i
D.同步电压: d1 x/ q7 }! T; M! }
正确资料:: u* t$ b# e- i$ h7 D

) c% c$ F  f+ A1 I; X- |7 j- v- g7 k- m# r  w
第9题,【单项选择题】α为    时,三相半波可控整流电路,电阻性负载输出的电压波形,处于连续和断续的临界状态。, v: ~  \7 l* x1 Y6 J( v
A.60度
. A5 X1 s+ B" t9 d0 z5 TB.90度3 V% j3 B. h2 s/ I
C.0度9 v( b: z* D9 E8 A! V) f) P
D.30度! J8 Y1 g* E0 e+ u
正确资料:/ }  R; d8 K$ z- @5 G  v1 l& \4 r
9 A* `6 ]( R  M3 C4 C- i$ t
; K2 d' s! H: O
第10题,【单项选择题】单相全控桥式有源逆变电路,控制角为a,则输出电压的平均值为(    )# j9 k& ^: q8 B3 ?' c  N- I$ e
A.Ud=1.17U2cosa8 x& h) D( E: G% [% Y' Y! ?. c+ H
B.Ud=0.9U2cosa
! \, L( {7 _$ d8 g' t$ WC.Ud=-2.34U2cosa
- y  p! m4 }: f7 r. o. W$ fD.Ud=0.45U2cosa3 g; q6 D( ^) G. h% W+ a' l
正确资料:6 z: R$ e8 D/ l' n2 B2 J: n  k

# [. q3 A( _  z
# V6 T9 V( m/ @6 ^9 R第11题,【单项选择题】压敏电阻在晶闸管整流电路中主要是用来(    )
4 ?! }9 K$ {9 B# H: UA.分流4 N% D* D, M: J- ?. r
B.降压
9 [' ]0 `# E, ~/ bC.过电压保护
3 _# W2 _) D; w* {* U! ~# HD.过电流保护
& S6 [7 W8 s  e. O4 }6 k正确资料:
" I% S' j* p5 l1 E7 {" R7 w" a
8 R% _8 [* J. C. f
3 O& n) G) R6 r+ ?& n0 x第12题,【单项选择题】在PWM逆变电路的相电压正弦波调制信号中叠加适当的3次谐波,使之成为鞍形波的目的在于(     )6 `' Z: L% g+ n( W
A.包含幅值更大的基波分量
& r- o6 f! |& I9 i$ i2 [6 uB.减少开关次数) k5 M, U7 J) u5 {; V
C.削弱直流分量. I7 F% W9 e) E; @1 s5 t$ U3 l4 m
D.消除谐波分量8 l- L% u" ]! r; H& _( j4 E
正确资料:7 i( ?3 B9 g8 o6 N* m& A0 d4 {
6 U) G6 b% S  X' V
0 O9 [! K! B# g; G
第13题,【单项选择题】下列全控器件中,属于电流控制型的器件是(     )。
" f+ l$ L: q" E' RA.SIT
; `1 K0 ]: d1 WB.GTR
* v7 ]% K0 m$ G* ZC.IGBT
* }  h6 ^8 P' D3 e" @3 dD.P-MOSFET
1 N& y$ t, k4 E- i% T8 f2 X正确资料:
- E; ?% P9 h) n
+ \1 b/ v6 C0 G0 Q5 @$ j) e8 j& s! g5 o  o. m1 {9 |( J1 B4 O4 `
第14题,【单项选择题】若晶闸管电流有效值是157A,则其额定电流为  (   )* }6 @6 [! x7 [
A.246.5A/ K. G' N1 P  Z7 |5 K/ S
B.157A
( A8 c6 g" I8 m' yC.100A: Z0 `  a0 t1 c% y5 S3 i3 Y
D.80A
2 f4 S  D3 U# Q正确资料:
- B/ z- A/ y$ m. w, \% U
) m, R# s" [' F1 q7 `' g# p  v4 ]" c
第15题,【单项选择题】在PWM斩波方式的开关信号形成电路中,比较器反相输入端加三角波信号,同相端加(    )% \; z7 A1 j( [  A
A.正弦信号
- J7 t& M2 J7 M& c; ~( J! C( F) MB.方波信号2 M8 l9 J& @' J5 G
C.锯齿波信号
- \5 L) L# _4 c2 j' z6 QD.直流信号8 T# l1 f( @" j1 Z1 ?6 y
正确资料:
& A% h- O/ |$ Y+ |6 ^% o' P$ F0 E0 U; Q
$ }. y8 d+ g- F& J/ a: r
第16题,【单项选择题】可在第一和第四象限工作的变流电路是(     )
& |6 p" P' s$ h, k$ r* [) T. {A.三相半波可控变流电路
: P! t2 k4 j. L5 MB.单相半控桥* j  j6 }# C8 G" |" |' @! {& [5 l
C.接有续流二极管的三相半控桥
& @# b: t$ I) Q* X+ f( ~- K3 y8 MD.接有续流二极管的单相半波可控变流电路. V$ t8 H$ i3 K5 s' J$ {* {
正确资料:6 N6 S/ S# A! |4 x0 z- L, ^
2 j, g% T# y* Z; b5 R! A! O, L

6 r& b1 t. q0 G# t( f2 Z第17题,【单项选择题】IGBT是一个复合型的器件,它是(      )
; H7 o$ s* _% @; l) ~( b+ S; rA.GTR驱动的MOSFET
/ Z' `3 Z1 i) h3 lB.MOSFET驱动的GTR&"160;
& w% o* {) z; q. X% gC.MOSFET驱动的晶闸管
9 t: K5 F# l4 R; WD.MOSFET驱动的GTO9 r2 L( @2 [& ~; U" ~$ c9 C, @- M2 b
正确资料:6 W1 R- @* |2 p" m
) L- Y  n, d  Y/ B. M6 E3 i, c
, }4 c1 ?& k, ^; ?1 S- Y* e% j
第18题,【单项选择题】对于电阻负载单相交流调压电路,下列说法错误的是(  )
9 D: v# A/ M' o& z. XA.输出负载电压与输出负载电流同相! ]& V% [- s, c
B.α的移项范围为000; H7 R+ a" U5 E+ D& e- J
C.以上说法均是错误的
/ S% z& {+ K( o' o. [) rD.输出负载电压UO的最大值为U19 R; s6 b" f5 e  K% D
正确资料:4 ~8 n4 H7 N( e+ z" r8 o

6 B9 u3 I. T: n% Z2 [" n; O/ ]( b
第19题,【单项选择题】降压斩波电路中,已知电源电压Ud=16V,负载电压Uo=12V,斩波周期T=4ms,则开通时Ton=) C- X/ U1 T  ?. j/ r) @+ o. h3 @
A.1ms
( q) h9 K6 D6 R1 d+ ?# [B.2ms4 r; Q/ c' n( m# `8 V& j/ K
C.3ms
' ~/ g8 Z4 [. m7 R- PD.4ms
7 ^* [9 J; d+ f+ Q正确资料:/ R8 p. E: \3 C2 K2 F- l- ]# {* x
' {6 c4 C$ S; S! e
! k* i  G6 ^1 I: N4 R
第20题,【单项选择题】有源逆变发生的条件为(  )1 Z4 y: O8 {$ e
A.要有直流电动势: H2 v7 i2 X- E
B.要求晶闸管的控制角大于90度/ q# N5 U/ `9 j* n
C.直流电动势极性须和晶闸管导通方向一致
; T$ L6 {: ~: `0 KD.以上说法都是对的9 ~9 c; I* A% s. K3 i& ?: G% P* J
正确资料:
2 w+ L& `# Y! T" Q; r/ L2 ~2 t! t% B/ H% }% F! f

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